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不同衬底上VO2薄膜的微观结构和光学性能研究

颜家振 , 黄婉霞 , 张月 , 刘小杰 , 涂铭旌

稀有金属材料与工程

以云母(001)晶面和玻璃片为衬底,采用溶胶-凝胶法在其表面制VO2薄膜.利用XRD,AFM,FTIR等手段分析了不同衬底上薄膜的微观结构和光学性能.结果表明,云母表面VO22薄膜常温下呈单一的(011)取向,而玻璃表面VO2薄膜呈现(100)和(011)2种取向,单一(011)晶体取向的OV2薄膜表现出更好的光学开关性能.还分析了VO2薄膜的晶体取向对其光学性能的影响.

关键词: 云母衬底 , VO2薄膜 , 热致相变 , 结晶取向

合成条件对多孔VO2薄膜形貌和光学性能的影响

徐元杰 , 黄婉霞 , 施奇武 , 张阳 , 宋林伟

功能材料

以云母(001)为衬底,采用无机溶胶-凝胶法,通过加入表面活性剂十二烷基三甲基溴化铵(CTAB),在不同条件下制备了多孔VO2薄膜.采用SEM、FT-IR等手段分析了薄膜的表面形貌和热致相变性能.结果表明,膜的热处理工艺参数等对薄膜的表面形貌、颗粒尺寸及光学性能有重要影响,多孔VO2薄膜的形成与退火温度、保温时间及退火环境有关.

关键词: VO2薄膜 , 多孔 , CTAB , 光学性能 , 形貌

钨钒共溅热致变色薄膜的制备及其红外光学性能

周晟 , 李毅 , 朱慧群 , 孙若曦 , 张宇明 , 黄毅泽 , 李榴 , 沈雨剪 , 郑秋心 , 佟国香 , 方宝英

稀有金属材料与工程

为解决VO2薄膜相变温度过高,热滞回线温宽过大以及掺杂后红外透过率变低等问题,开展了低成本钨钒共溅热致变色薄膜制备工艺的探索.先在室温条件下采用磁控共溅射的方法于玻璃基片上制备得到含钨量为1.4%的金属薄膜,再在空气中采用后退火工艺使金属薄膜充分氧化为热致变色薄膜.对薄膜样品的物理结构和光学性能进行了分析,发现钨钒共溅没有改变VO2薄膜在玻璃表面择优取向生长,但显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征.观察到钨钒共溅热致变色薄膜的相变温度较普通VO2薄膜从68℃降低至40℃,热滞回线温宽由6℃缩小为3℃,低温半导体相的红外透过率分别为62%和57%.结果表明,钨钒共溅可达到相变温度降低,热滞回线温宽变窄,掺杂前后红外透过率变化不大之目的.

关键词: 热致变色 , 共溅射 , VO2薄膜 , 相变

1.7MeV电子束在VO2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化

卢勇 , 林理彬 , 卢铁城 , 何捷 , 邹萍

功能材料

利用能量为1.7MeV、注量分别为1013~1015/cm2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响.结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化.电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响.

关键词: VO2薄膜 , 结构 , 相变性能 , 电子辐照

VO2薄膜的研究和应用进展

张弛 , 刘梅冬 , 曾亦可 , 刘少波 , 黄焱球

材料导报

综述了VO2薄膜的制备工艺,着重探讨了热处理工艺和条件对其性能的影响,并介绍了它的最新应用情况.

关键词: VO2薄膜 , 制备工艺 , 热处理 , 非制冷红外焦平面 , 光阀 , 激光器反射镜

VO2薄膜的结构、光学特性及其应用研究进展

陈学荣 , 胡军志 , 韩文政

材料导报

VO2具有4种多晶型结构.其中,VO2(M)向VO2(R)的转变是可逆的,并伴随着光、电、磁等物理性能的急剧变化.从晶体学角度描述了具有可逆相变特性的VO2的晶体结构,介绍了VO2薄膜在可见光-红外光波段的高低温光谱研究情况及激光辐照下VO2薄膜的突变特性.在应用原理分析的基础上综述了VO2薄膜光学特性方面的最新应用情况.

关键词: VO2薄膜 , 晶体结构 , 光学特性 , 应用

VO2薄膜γ辐照过程的变价和退火现象

卢勇 , 林理彬 , 何捷 , 卢铁城

功能材料

对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理,利用SEM和xPS对辐照前后的薄膜进行分析,发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象,并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关;较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤,当辐照剂量增大时,γ射线在VO2薄膜中产生退火效应,使薄膜表面质量得到改善.辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合,对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论.

关键词: VO2薄膜 , γ辐照 , 变价 , 退火效应

掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究

颜家振 , 张月 , 刘阳思 , 张玉波 , 黄婉霞 , 涂铭旌

稀有金属材料与工程

采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM、XS、XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6+形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6+,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6+量为2.04%,其相变温度下降到28℃.

关键词: 钨掺杂 , 相变温度 , VO2薄膜 , 光学性质

VO2薄膜的制备及其热致相变特性研究

宋林伟 , 黄婉霞 , 张玉波 , 徐元杰 , 张阳 , 李娜 , 李丹霞

功能材料

以双氧水和V2O5粉末为前驱体制备出V2O5溶胶,然后在云母基底上成膜,通过后续热处理退火得到优异相变性能的VO2薄膜.采用SEM、XRD分析薄膜形貌和微观结构,利用FT-IR等检测薄膜的光学性质.实验表明,VO2薄膜在云母基底上沿(011)晶面择优取向生长,颗粒生长致密且大小分布均匀.薄膜具有优异的相变陡然性,相变温度及滞后温宽都较低.在红外波段,相变前后透过率及反射率变化都较大,对红外光调节性能较好;在可见光波段,薄膜在相变前后都具有较高可见光透过率.

关键词: VO2薄膜 , 相变特性 , 溶胶-凝胶 , 双氧水 , 光学性质

VO2镀膜工艺与薄膜导电特性的研究

吕凤军 , 斯永敏

材料导报

利用射频磁控溅射方法制备了VO2薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜导电特性的影响规律.试验结果表明,影响薄膜导电性能的主要因素是热处理温度,其次是衬底的温度,溅射功率和工作压强对薄膜导电性能的影响很小.X射线衍射结果表明,制备的VO2薄膜为非晶体结构,480℃真空热处理后,VO2薄膜结晶良好.由此得到制备VO2薄膜的最优化工艺为:衬底的温度400℃、热处理温度480℃、溅射频率120W和工作气压1.5Pa.

关键词: VO2薄膜 , 磁控溅射 , 相变 , 热滞回线

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