李东辉
,
刘志凌
,
叶甜春
,
陈大鹏
,
吕反修
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.030
介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性;通过调节衬底温度、改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施,实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响, 获得了高密度形核的样品;对形核后的预生长期进行了工艺优化,有效地控制了核岛的优势生长,总结出了一套优化的形核方案,即甲烷浓度4%,衬底温度700℃,形核时间14min;这套工艺不仅改善了自支撑金刚石薄膜窗口的光学性能,还有效地降低了膜的内应力.
关键词:
成核
,
金刚石薄膜
,
MPCVD
,
X射线光刻掩模
