丁士进
,
王鹏飞
,
张卫
,
王季陶
,
张台文
,
夏钟福
金属学报
通过X-射线光电子光谱(XPS),研究了蒸发淀积Al与Teflon AF薄膜间的相互作用.高分辨率Al2p,Ols,Cls和Fls XPS光谱分析表明在Al和Teflon AF界面处有AI的氟化物(AlxFy)以及C-O-Al有机化合物的形成.考虑到蒸发淀积Al前后,CF3基团降低和CF2基团增加,可以认为AlxFy中氟的来源主要是由于CF3基团中一个C-F键断裂而失去的氟原子,同时产生的CF2游离基和其它游离基间结合,导致界面处CF2基团增加.
关键词:
Al
,
null
,
null
,
null
,
null