孙钢杰
,
伊福廷
,
王焕华
,
贾全杰
,
张天冲
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2016.07.001
利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品.用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化.发现当偏压小于300V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300V时薄膜密度最大;当偏压大于300V时,薄膜密度减小.另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布.
关键词:
X-射线反射率分析
,
铬薄膜
,
密度
,
表面形貌
,
磁控溅射
,
偏压
