曾贵平
,
曹余惠
,
殷绍唐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.009
本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的YAG晶体样品进行的腐蚀,详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌,尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布,测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度.在观测中发现,有些掺钕晶体样品上,位错腐蚀坑在中心区与边缘区的密集程度不同,有明显的分界.对此现象进行了探讨,认为出现在样品边缘区内的密集位错,除了来自于籽晶中以及来自于晶体从籽晶开始生长的起始处外,也由于熔体中出现在晶体周界处的自然对流与强迫对流边界层内的液流不稳,引起了生长界面边缘局部不稳而产生,环境气流起了相当的作用.
关键词:
位错
,
腐蚀坑
,
形貌
,
激光晶体
,
YAG晶体
黄永臣
,
薛抗美
,
颜声辉
,
袁文愈
,
刘鹏
,
王庆
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.018
本文结合作者生产、实验工作,介绍了使用TDL-J75型单晶炉,采用中频感应加热、铱坩埚引上法生长直径50～75mm、单晶重量3600g左右的YAG晶体工艺.用该工艺生长直径50mm晶体的合格率可达85%以上,生长直径75mm晶体的合格率达75%以上,因此已达到规模生产的工艺水平.
关键词:
YAG晶体
,
中频感应
,
铱坩埚
,
引上法
