邹宇琦
,
李新军
,
徐军
,
干福熹
,
田玉莲
,
黄万霞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.004
运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.
关键词:
YVO4晶体
,
缺陷
,
同步辐射白光X射线形貌术
,
电子探针仪
王英伟
,
程灏波
,
刘景和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.010
在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(CZ法)生长YVO4晶体,采用自行设计的气压计,精密调节炉内的氧、氮比例,有效防止了晶体生长中的过度缺氧,生长出33mm×31mm(等径)YVO4晶体.设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5～10r/min,拉速:2～6mm/h,生长周期:24h,液面上8mm温度梯度2.875℃/mm.用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察,认为它们的成因主要是生长速率过快,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等.
关键词:
YVO4晶体
,
提拉法
,
晶体缺陷
