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温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体

倪友保 , 吴海信 , 黄昌保 , 程旭东 , 王振友 , 肖瑞春

人工晶体学报

针对高温熔体生长的ZnGeP2 (ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度(945℃左右)生长出φ20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16 ~ 0.3 cm-1之间.但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究.

关键词: ZGP晶体 , 籽晶温度梯度区域熔炼法 , 吸收系数

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