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沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu2ZnSnSe4薄膜电池的影响

刘晓茹 , 李建军 , 刘玮 , 刘芳芳 , 敖建平 , 孙云 , 周志强 , 张毅

人工晶体学报

无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响.通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态.通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%).通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒.将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%.

关键词: 无镉缓冲层 , 化学水浴法 , Zn(O,S) , CZTSe薄膜电池 , 沉积时间

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