李云
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李健
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王艳
功能材料
高纯Sn和S粉按1∶0.41（质量分数,%）配比,均匀掺入9（质量分数,%）的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn（9（质量分数,%））的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为6.05×101（Ω·cm）,比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn（9%,质量分数）薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。
关键词:
Sn2S3薄膜
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Zn掺杂
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单源共蒸发
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热处理
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电、光特性
马耀通
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孙爱民
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刘恒伟
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鲁彦忠
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马金元
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艾小倩
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赵懂叶
低温物理学报
我们用传统的固相反应法烧结了一系列Mg1-xZnxB2（x=0.00,0.02,0.04,0.06,和0.08）,仔细研究超导转变温度和结构,发现随着Zn掺杂量的增加,002峰向衍射角减小的方向转移,这使Zn原位替代Mg和晶格常数a的增大成为可能.电阻系数测量表明,被Zn替代后开始的超导转变温度（Tc）几乎没有变化,尤其,当掺杂量x不高于0.04时MgB2的Tc值只是轻微的增加.例如,没有掺杂的块体的Tc是38.5K,而x=0.02时为39K,x=0.04为38.7K.
关键词:
MgB2
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Zn参杂
,
转变温度
