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Cu(In,Ga)Se2太阳能电池窗口层ZnO:Al薄膜的研究

杨发强 , 屈飞 , 古宏伟 , 李弢 , 王磊

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.03.013

用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al薄膜.研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响.实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35～60mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%.Ts及Dt-s对薄膜电...

关键词: ZnO:Al , 射频磁控溅射 , Cu(In,Ga)Se2

孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究

李微 , 孙云 , 何青 , 刘芳芳 , 李凤岩

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.021

本文以ZnO:Al(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性.采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点.ZAO薄膜的最低电...

关键词: 孪生对靶 , 磁控溅射 , ZnO:Al

掺杂及溅射功率对ZnO:Al薄膜结构与电性能的影响

任明放 , 冯湘 , 王华 , 许积文

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.02.006

采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO:Al透明导电薄膜.研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响.研究表明:不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%～3%(质量分数)的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂孱的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄...

关键词: 氧化锌铝 , 透明导电薄膜 , 导电性能 , 磁控溅射

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/7/073002

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