王鹏
,
赵青南
,
周祥
,
赵修建
稀有金属材料与工程
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前...
关键词:
同质缓冲层
,
ZnO:Al薄膜
,
射频磁控溅射法
,
方块电阻
,
玻璃基片
骆英民
,
马剑刚
,
徐海阳
,
刘益春
,
钟殿强
,
齐秀英
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.018
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜...
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电子束蒸镀
,
退火
,
Van der Pauw法
,
光致发光谱
王文文
,
刁训刚
,
王天民
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.03.010
利用直流磁控溅射法制备了两组ZAO薄膜,使用60Co放射源对一组薄膜进行了γ射线辐照,在原子氧地面模拟设备中对另一组进行了原子氧辐照,并对辐照前后的样品进行了微观结构、表面形貌及电学特性的表征.结果表明,较高剂量率的γ射线辐照会降低薄膜的结晶程度,而低剂量率的辐照有相反作用.γ射线可激发薄膜中的电子...
关键词:
透明导电氧化物
,
ZnO:Al薄膜
,
γ射线
,
原子氧
,
电学性能
冯兰
,
刁训刚
,
王涛
,
刘海鹰
,
康明生
功能材料
利用直流-射频共溅射法在玻璃基底上低温制备了系列掺铝氧化锌(ZAO)透明导电薄膜.研究了低温溅射过程中倾斜溅射靶偏角对样品电学性能、紫外-可见-近红外光区透过率、X射线衍射谱及薄膜表面形貌的影响.结果表明,室温条件下制备的ZAO薄膜具有(002)择优取向,当靶偏角为23°时,薄膜方块电阻最低,可达1...
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
透明导电薄膜
,
共溅射
,
倾斜溅射
徐玮
,
于军
,
王晓晶
,
袁俊明
,
雷青松
材料导报
利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试...
关键词:
磁控溅射
,
陶瓷靶材
,
电阻率
,
透过率
,
ZnO:Al薄膜
裴志亮
,
谭明晖
,
陈猛
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.01.017
用磁控反应溅射法制备了ZnO:Al(简称ZAO)薄膜,研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌,并对ZnO:Al薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了XPS和AES分析,同时也讨论了薄膜的光学电学性能.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电阻空间分布
,
光电性能
杨田林
,
韩圣浩
,
张鹏
,
王爱芳
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.002
讨论了在低温条件下制备的ZnO:Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polvimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究.两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6～5.16 g/c...
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
光电特性
,
射频磁控溅射
