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ZnO缓冲层退火温度对Ti02∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响

王丹红 , 赵小如 , 谢海燕 , 刘金铭 , 白晓军 , 陈长乐

材料导报

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强;XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.

关键词: ZnO缓冲层 , 溶胶-凝胶法 , 光致发光 , 氧化钛 , Eu掺杂

以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜

何建廷 , 宿元斌 , 杨淑连 , 卢恒炜

功能材料

用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜.直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛固中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响.

关键词: ZnO缓冲层 , GaN薄膜 , 退火 , 结晶

射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究

王如 , 杨瑞霞 , 张俊玲 , 徐永宽

功能材料

采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能.实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带.

关键词: ZnO缓冲层 , 晶格失配 , 三维岛状生长 , 射频磁控溅射

磁控溅射制备ZnO缓冲层薄膜的微观结构和光学性能

王玉伟 , 刘平 , 李伟 , 刘新宽 , 马凤仓 , 陈小红 , 何代华

稀有金属材料与工程

研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,衬底温度、溅射气压对ZnO缓冲层薄膜表面形貌、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响.综合分析得出最佳的制备ZnO缓冲层薄膜的工艺为250℃、0.6 Pa.在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,结构致密、尺寸均匀,禁带宽度为3.24 eV,可见光平均透过率为86.93%,符合作CIGS太阳能电池缓冲层的要求.

关键词: 衬底温度 , 溅射气压 , ZnO缓冲层 , 微观结构 , 光学性能

ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜

马李刚 , 马书懿 , 陈海霞 , 黄新丽

功能材料

采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%(原子分数)时,(002)衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光(PL)谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm(2.80eV)、483nm(2.57eV)为中心的蓝光发光峰和以521nm(2.38eV)为中心较弱的绿光峰。并对样品的发光机理进行了详细的探讨。

关键词: 磁控溅射法 , ZnO缓冲层 , Al掺杂ZnO薄膜 , XRD , 光致发光

退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响

王书运 , 庄惠照 , 高海永

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.025

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.

关键词: 射频磁控溅射 , GaN薄膜 , ZnO缓冲层 , 氨化反应

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