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低压ZnO压敏电阻材料研究及发展概况

张丛春 , 周东祥 , 龚树萍

概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题,并对以后的发展方向进行了展望.着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构(晶粒大小及晶界状态)均匀性对电性能和老化特性的影响,并提出了改善老化性能的关键措施...

关键词: ZnO陶瓷 , 低压压敏电阻 , 显微结构 , 晶界 , 老化

氧化锌陶瓷铌掺杂效应的低温导电特性研究

籍远明 , 张金仓 , 郝希平

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性.结果表明:低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小;同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.

关键词: ZnO陶瓷 , 导电特性 , 掺杂 , 低温

Nb2O5掺杂的氧化锌陶瓷导电特性研究

籍远明 , 张金仓

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.01.014

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小,同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.

关键词: ZnO陶瓷 , 导电特性 , 掺杂 , 低温

退火过程中Ti4+离子对低压ZnO陶瓷压敏性能的影响

徐庆 , 陈文 , 郜定山 , 袁润章

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.03.004

本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理,测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD、SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化.研究结果表明,退火过程中Ti4+离子取代Zn2+离子而固溶进入ZnO晶粒表面,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因,在退火温度不超过...

关键词: ZnO陶瓷 , 压敏性能 , 退火 , Ti4+离子

Sol-Gel法制备ZnO压敏陶瓷及其电性

刘素琴 , 黄可龙 , 宋志方 , 彭斌

无机材料学报

采用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）工艺制备ＺｎＯ电压敏陶瓷粉体．探讨其制备的最佳工艺条件：以Ｚｎ（ＮＯ_３）_２与ＮａＯＨ为反应前驱物制取胶体，Ｚｎ^２＋浓度控制在０．５ｍｏｌ·Ｌ^－１以上，ｐＨ值７．５左右，预...

关键词: ZnO陶瓷 , sol-gel process , varistor

氧化锌压敏陶瓷几何效应的统计法研究

李盛涛 , 刘辅宜 , 贾广平

无机材料学报

本文实验研究了ZuO压敏陶瓷击穿、非线性指数α和脉冲大电流冲击后击穿场强E_1mA变化率的几何效应．对ZuO晶粒尺寸的统计分析表明它基本服从正态分布．建立了微观结构模型，计算机模拟得到的击穿几何效应规律与实验规律相同．临界厚度d_c

关键词: ZnO陶瓷 , dimensional effect , microstructure

高能ZnO基复合陶瓷线性电阻的制备

袁方利 , 林元华 , 黄淑兰 , 李晋林 , 季幼章

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.010

在ZnO中添加A12O3和MgO,制备了高能ZnO基复合陶瓷线性电阻,其电阻率为5～1300 Ω·cm、能量密度大于450J/cm3、电阻温度系数小且近于线性.烧结温度、MgO添加量和降温速率分别对材料的电阻率、电阻温度特性以及线性度和能量密度有较大影响.

关键词: ZnO陶瓷 , 线性电阻 , 制备

Sol-Gel法制备 ZnO压敏陶瓷及其电性

刘素琴 , 黄可龙 , 宋志方 , 彭斌

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.030

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体. 探讨其制备的最佳工艺条件：以Zn(NO3)2与NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度控制在0.5mol*L-1以上，pH值7.5左右，预烧温度300°C，陶瓷烧结温度1200°C；制得的压敏电阻的非线性系数α=28；研究了稀土La...

关键词: ZnO陶瓷 , Sol-Gel法 , 压敏电阻

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