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基于氧化锌纳米线表面传导场发射阴极的研究

张永爱 , 林金阳 , 吴朝兴 , 郑泳 , 林志贤 , 郭太良

功能材料

利用热蒸发和丝网印刷技术在玻璃基底上成功制备了氧化锌纳米线表面传导场发射阴极阵列,并测试其场发射性能。扫描电镜表明,在氩气和氧气流量分别为60和1mL/min,反应温度550℃保温30min条件下制备的氧化锌纳米线均匀垂直生长在玻璃基底上,直径大约在80~200nm,长度〉7μm。场发射测试表明,在阳压2000V和阴阳间距为500μm时,ZnO纳米线表面传导场发射阴极的开启电压为70V;在栅压为96V时,电子发射效率为26.2%,高于传统报道的表面传导电子发射器件,在经过80min的老练后发射接近稳定,平均发射电流接近135μA,表明ZnO纳米线表面传导场发射阴极有着稳定高效的场发射性能。

关键词: 氧化锌 , 表面传导场发射 , 热蒸发 , 丝网印刷 , 场发射特性

氧化锌纳米线尿酸氧化酶固定性能

王小华 , 张健 , 朱自强 , 朱建中

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.020

本文利用石英晶体微天平研究了氧化锌纳米线对尿酸氧化酶的固定性能和作为尿酸传感器的应用.本文在PBS溶液中对尿酸氧化酶进行固定,并且利用固定的传感器作为尿酸传感器,能检测浓度范围从5.0 × 10-6到8×10-5 molL-1的尿酸含量,所有结果都说明氧化锌纳米线是一种很好的生物传感器的材料.

关键词: 氧化锌纳米线 , 尿酸氧化酶 , 尿酸 , 石英晶体微天平

ZnO纳米线的可控生长及其光学特性

涂盛辉 , 赖辉芳 , 吴林华 , 吴佩凡 , 彭海龙 , 杜军

材料导报

采用简单水热法制备得到ZnO纳米线,通过控制反应条件调控ZnO纳米线的形貌,得到不同形态的多维ZnO纳米线.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发射光谱(PL)对样品的微观形貌、晶相结构、光学性能进行表征,结果表明:样品的晶型完整,光致发射光谱图显示在384 nm左右出现了紫外区发射峰,而且玉米棒状ZnO纳米线不仅出现了强烈的紫外发射峰,在可见光区域也出现了发射峰.

关键词: 水热法 , ZnO纳米线 , 可控生长 , 光学性能

生长温度对热蒸发法制备ZnO 纳米线的结构与发光性能影响

杨燕 , 余涛 , 金成刚 , 韩琴 , 吴兆丰 , 诸葛兰剑 , 吴雪梅

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.028

采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在 Si (100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶 ZnO 纳米线。分别利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和 TEM研究表明,所制备的样品为沿c 轴择优取向生长的单晶ZnO 纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO 纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的 ZnO 纳米线;低于600℃时,形成花状 ZnO纳米锥或纳米棒;高于700℃时,形成小长径比的 ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO 纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO 纳米材料。

关键词: ZnO 纳米线 , 热蒸发 , 光致发光 , 气-固(VS)机理

聚(2-甲氧基-5-十二烷氧基)对苯乙炔/ZnO纳米线混合膜的光伏特性

张小舟 , 蹇锡高 , 祖立武

高分子材料科学与工程

采用脱氯化氢的方法合成了聚(2-甲氧基-5-十二烷氧基)对苯乙炔(PMODOPV)。利用热蒸发法在铜基片上制备氧化锌纳米线,以此为负极直接旋涂聚合物溶液,制备结构为氧化铟锡(ITO)/聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT∶PSS)/PMODOPV/ZnO/Cu的光伏器件。考察了器件的光伏特性以及纳米线的加入对光伏器件的影响。研究发现,加入ZnO纳米线制备的器件具有高的开路电压和短路电流,在标准AM1.5太阳光模拟灯照射下(1000W/cm^2),器件的短路电流达到了5.37×10^-3A/cm^2,开路电压达到了1.01V,功率转换效率相应地达到了1.37%,其中功率转换效率与没有掺杂氧化锌纳米线的PMODOPV器件相比有明显提高。文中在氧化锌纳米线上旋涂PMODOPV获得活性层,从其膜表面的SEM图中可以看出,氧化锌纳米线类似网状的交织在聚合物的膜层中,纳米线与聚合物实现了微观尺度的结合。

关键词: 氧化锌纳米线 , 共轭聚合物 , 光伏特性

高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列

邱智文 , 杨晓朋 , 韩军 , 曾雪松 , 李新化 , 曹丙强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13284

采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO∶Na)生长的影响,并制备了ZnO∶A1薄膜/ZnO∶Na纳米线阵列同质pn结器件.实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列.X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中.在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等.通过在ZnO∶Al薄膜上生长ZnO∶Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO∶Na纳米线具有良好的p型导电性能.

关键词: 钠掺杂 , 氧化锌纳米线 , 高压脉冲激光沉积(HP-PLD)

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