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一种设计无机介质材料介电性能的新方法

李玲霞 , 吴霞宛 , 张志萍 , 王洪儒

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.06.004

选用低介电常数的无机介质材料ZnO-B2O 3-SiO2三元系统,进行了XRD和介电性能定量关系的研究,系统的主、次晶相为SiO 2、Zn2SiO4相.调整各组分,获得了超低介电常数的介质陶瓷,其介电性能为:ε≈5,tgδ≤5×10-4,αc≤0±30ppm/℃,IR≥1012Ω,烧结温度为1140...

关键词: ZnO-B2O3-SiO2系统 , 超低介电 , 常数 , X-射线衍射分析 , 衍射峰强度 , 设计材料介电性能

ZnO-B2O3-SiO2系统低介陶瓷的烧结工艺研究

庞京涛 , 郑金标 , 吴纬

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.006

通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响.结果表明:该陶瓷系统致密化过程主要发生在900~1050℃之间,采用最高烧结温度1050...

关键词: 低介电陶瓷 , 烧结工艺 , ZnO-B2O3-SiO2系统

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