付蕊
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化麒麟
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涂洁磊
人工晶体学报
采用电子束蒸发法在不同衬底温度下,150℃、200℃、250℃和300℃,制备了ZnS薄膜；用X射线衍射仪、原子力显微镜、膜厚仪和紫外-可见光-近红外分光光度计分别表征ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性；并分析了不同衬底温度对薄膜的结构和光学特性的影响.结果表明:在硅衬底上制备的ZnS都为多晶薄膜,具有闪锌矿β-ZnS结构；随衬底温度升高呈(111)晶面高度择优取向,平均晶粒尺寸有所增大,内应力、位错密度、折射率和吸收系数有所减小,禁带宽度随之增大；衬底温度为300℃时制备的薄膜表面均匀致密,呈现较优的结构和光学性能.
关键词:
电子束蒸发
,
ZnS薄膜
,
衬底温度
,
微结构
,
光学特性
张仁刚
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卓雯
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王玉华
,
彭顺金
,
陈克亮
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徐千山
人工晶体学报
以反应磁控溅射方法沉积ZnO薄膜,然后在空气和H2S气氛中退火制备了六方相ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见透射光谱和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征.提高空气退火温度能够改善ZnS薄膜结晶性,而空气退火温度超过500℃则会降低ZnS薄膜结晶性.另外,当硫化退火温度低于400℃时,ZnO只能部分转变为ZnS,只有硫化温度等于或大于400℃时,ZnO才能全部转变为ZnS.硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜在可见光范围的透过率约为80％,带隙为3.61 ～3.70 eV.
关键词:
ZnS薄膜
,
溅射
,
空气退火
,
硫化
张蕾
,
方龙
,
刘攀克
,
刘越彦
,
黎明锴
,
何云斌
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.05.042
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜，并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系.首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响，结果表明，所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构；在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量，并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al2O3(001)且ZnS(110)∥Al2O3(110)].进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO 缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响，结果表明在沉积 ZnS 薄膜前先沉积一层 ZnO 薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性，其中在沉积时间为2 min的 ZnO 缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好，其(002)面摇摆曲线半高宽为1．35°.本文结论对于研究 ZnS 薄膜制备光电器件具有重要的意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnS薄膜
,
缓冲层
,
外延生长
,
晶体结构
