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硒化锌的化学机械抛光研究

吴传超 , 安永泉 , 王志斌 , 杨常青 , 张瑞

人工晶体学报

采用化学机械抛光(CMP)的方法,自制抛光液作为研磨介质,对(50×50×1.5)mm3硒化锌(ZnSe)晶片抛光.通过分析抛光液的pH值、抛光盘转速、抛光液的磨料浓度、压力、抛光时间和抛光液流量等参数对CMP的影响,组合出最佳工艺参数,并通过原子力显微镜和平晶测试方法对最佳工艺参数获得的ZnSe晶...

关键词: ZnSe晶片 , 化学机械抛光 , 表面粗糙度