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直流磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜及性能研究

张化福 , 类成新 , 刘汉法 , 袁长坤

材料导报

利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO光电性能的影响.研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响.制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有C轴择优取向.在厚度为593nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω·cm.所制备薄膜样品的可见光平均透过率都超过93%.

关键词: ZnO , Zr薄膜 , 磁控溅射 , 薄膜厚度 , 透明导电薄膜

氢等离子体作用下的Zr薄膜氢化特性研究

施立群 , 晏国强 , 周筑颖 , 胡佩钢 , 罗顺中 , 丁伟

金属学报

本文研究Zr薄膜在等离子体作用下的氢化特性.测试表明,与分子氢相比,氢等离子体作用下氢化速率明显增高,在室温和≈2Pa氢压的DC放电条件下,氧化10 min样品的氢化浓度可达饱和值,即66.67(原子分数,%),远大于该压强下的气体氢化浓度.在非超清洁系统中,等离子体氢化在样品表面产生大量的氧污染和...

关键词: Zr薄膜 , null , null

氢等离子体作用下的Zr薄膜氢化特性研究

施立群 , 晏国强 , 周筑颖 , 胡佩钢 , 罗顺中 , 丁伟

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.09.016

本文研究Zr薄膜在等离子体作用下的氢化特性.测试表明,与分子氢相比,氢等离子体作用下氢化速率明显增高,在室温和≈2Pa氢压的DC放电条件下,氧化10 min样品的氢化浓度可达饱和值,即66.67(原子分数,%),远大于该压强下的气体氢化浓度.在非超清洁系统中,等离子体氢化在样品表面产生大量的氧污染和...

关键词: Zr薄膜 , 氢化 , 等离子体