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5d电子掺杂的SmFe_(1-x)Ir_xAsO铁基超导体的合成及物性

陈永亮 , 崔雅静 , 杨烨 , 王磊 , 李仪成 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

通过在SmFeAsO中Fe位上掺入5d过渡金属Ir,得到了一种新的铁基超导体SmFe_(1-x)Ir_xAsO,当x=0.05时,样品表现出超导电性,超导转变温度为8K,当x=0. 15时,超导转变温度达到最大值17. 3K X射线衍射结果表明所有样品均属四方ZrCuSiAs-type结构,SEM结果表明SmFe_(1-x)Ir_xAsO样品具有片层状形貌特征,随着Ir掺杂量的增大,晶格参数a增大而c减小,结合EDX数据,表明Ir掺人了SmFeAsO晶格当中.

关键词: 铁基超导体 , ZrCuSiAs结构

GdFeAsO_(1-x)F_x超导体的制备及其超导电性

崔雅静 , 陈永亮 , 杨烨 , 王雅真 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

通过先制备一种纳米尺寸的GdF_3作为GdFeAsO_(1-x)F_x样品中F的反应原料,在相对较低的温度(1120℃)下成功制备出一系列GdFeAsO_(1-x)F_x(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25)多晶样品.X射线衍射结果表明,超导样品属四方ZrCuSiAs-type结构,晶格参数随着掺F量的增加而减小.扫描电子显微镜测试结果表明,样品具有片层状晶体形貌特征.当掺F量x=0.1时,样品表现出超导电性,超导转变温度为22K,随着掺F量的增多,超导转变温度升高.和其他制备方法相比,这种制备方法更有利于F的掺入,而且可有效减少样品中杂质相的含量.

关键词: 铁基超导体 , ZrCuSiAs结构

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