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高能Xe离子辐照引起的注碳a:SiO2中新结构的形成

赵志明 , 王志光 , 宋银 , 金运范 , 孙友梅

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2006.02.024

先用120 keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜, 再用能量为1 754 MeV 的 Xe离子辐照.注碳量为5.0×1016-8.6×1017 ion/cm2, Xe离子辐照剂量为1.0×1011和5.0×1011 ion/cm2. 辐照后的样品中形成的新结构用显微傅立叶变换红外光谱仪进行...

关键词: 离子注入 , 高能离子辐照 , a:SiO2 , 新结构