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a-C:H(N)薄膜的制备及性能

程宇航 , 吴一平 , 陈建国 , 乔学亮 , 谢长生 , 许德胜

无机材料学报

采用射频直流等离子化学气相沉积法用 C 、 N 和 Ar 组成的混合气体制备a-C: H ( N) 薄膜, 研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性实验结果表明, a C: H ( N) 薄膜的沉积速率随混合气体中 C 含量的增加而增大, 当混合气体中 N2 含量增加到75 % 时, 薄膜的含氮量增大到909 % 薄膜中 C、 N 原子以 C≡ N 和 C- N 键的形式存在, 结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率

关键词: a-C:H(N)薄膜 , null , null , null

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