靳瑞敏
,
罗鹏辉
,
陈兰莉
,
郭新峰
,
卢景霄
人工晶体学报
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
光退火
,
量子态
,
晶粒大小
靳瑞敏
,
卢景霄
,
冯团辉
,
王海燕
,
张丽伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.023
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
传统炉退火
,
量子态
,
晶粒大小
