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检索条件：关键词=a-Si:H TFT
邵喜斌 , 王丽娟 , 李梅
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.001
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶H TFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化....
关键词: a-Si:H TFT , SPICE模型 , 亚阈值区
姚建可 , 许宁生 , 邓少芝 , 陈军 , 佘峻聪 , 王彬
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.018
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si:H TFT阵列(20×20).用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si:H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si:H薄膜和n+a-Si:H薄膜的电导率.a-Si:H薄膜中的H(原子数分数)约为...
关键词: 塑料基底 , a-Si:H TFT , 柔性显示
