刘金娥
,
廖燕平
,
荆海
,
张志伟
,
付国柱
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.018
分析了a-Si:H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a-Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si:H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即...
关键词:
OLED
,
a-Si:H-TFT
,
阈值电压漂移
,
电荷注入
,
亚稳态
,
补偿方法
