席丽丽
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邱雨婷
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史讯
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杨炯
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陈立东
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杨继辉
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张文清
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.01.04
通过第一性原理与热力学结合的方法，研究了 Ga，In 等掺杂的 CoSb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了 Ga，In 在 CoSb3中填充，Co，Sb 位置替换以及填充－替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明，缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga，In 等在方钴矿中不是单纯的填充，而是填充和 Sb 位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充－替换比例2∶1的缺陷为主，而 In 掺杂，根据不同的条件可形成填充，替换，以及不同比例的填充替换复合缺陷，其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗，研究了 Ga，In 掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现 Ga，In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应，其载流子浓度较低，尤其是 Ga 填充，具有类似本征半导体的低载流子浓度，且得到实验证实。In 掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1，填充位置的 In 比 Ga 的稍高一些，因此具有比 Ga 掺杂更高的载流子浓度。
关键词:
方钴矿
,
第一性原理
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热电材料
,
复杂缺陷结构
张海东
材料导报
采用模型化学方法,利用从头算(Ab inito)和密度泛函(DFT)方法计算研究了氧化钛Ti5O10簇模型和V4+同晶置换Ti原子的簇模型在A→R相变中的能量变化、角度崎变方式、V4+取代位置、前线轨道变化.结果表明,V2O5晶格失去1个O原子而形成的V2O4物种具有金红石型结构,可诱导或促进TiO2的A→R相变.Ti4VO10簇中的成单α电子对体系的前线轨道产生影响;价层电子分布的这种不平衡可能是导致锐钛型结构中Ti-Ti晶格发生畸变、在加热过程中更容易向金红石型结构转变的推动力.
关键词:
TiO2
,
相变
,
从头算
,
密度泛函
张婷婷
,
卢红芳
,
余云松
,
张早校
工程热物理学报
工业生产中排放的大量CO2引起了环境问题,使得从烟气中捕集CO2成为研究热点.传统的醇胺水溶液吸收方法吸收效率高,但再生能耗高.非水醇胺溶液不仅具有较高的吸收性能,同时再生能耗也低.本文采用从头算法中的密度泛函理论研究分析了单乙醇胺(MEA)与CO2分子在水和甲醇不同溶剂化效应下的化学反应过程.结果表明,在溶剂不参与反应的条件下,不同的溶剂化作用对化学反应路径影响较小,但相应基元反应的能量变化略有不同.与水相比,在甲醇的溶剂化作用下反应的内禀反应坐标能垒较低,CO2分子更易被MEA吸收解吸.
关键词:
醇胺溶液
,
非水溶剂
,
化学反应机理
,
从头算法
李如松
,
何彬
,
张全虎
稀有金属材料与工程
为了对δ相Ga稳定Pu合金中自辐射效应进行分子动力学仿真,本文根据原子分子反应静力学原理.将Pu,Ga和He原子的7Fg(9Fg),2Pu(4Pu]和1Sg(3Sg)分别分解为Pu2(D∞h),PuGa(C∞v),Ga2(D∞h),PuHe(C∞v),GaHe(C∞v),He2(D∞h)的直和,通过直积和约化获得所有可能的电子状态.在Pu原子的相对论有效原子实势(RECP),Ga原子和He原子的6-31IG*全电子基组下,采用Becke-杂化泛函(B3LYP)对Pu-Pu,Pu--Ga,Pu-He,Ga-Ga,Ga-He和He-He势能进行从头算.获得了相应分子的原子间作用势,以及各个分子基态的电子状态.
关键词:
从头
,
原子间作用势
,
多重度
,
泛函
邢文国
,
孟宪兴
,
冯维春
,
张长桥
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2014.2.002
采用第一性原理分子动力学模拟对高温55％ Al-Zn合金熔体进行研究,给出熔体的结构和动力学性质.结果表明:计算得到的A1-Zn合金熔体的结构因子与实验结果符合较好.在加入Zn原子后,熔体中Al原子的分布变化不大,而Zn原子是随机均匀分布的;熔体中Al-A1配位数与Al-Zn配位数之比约为3:1,与熔体中原子含量的比值基本一致.同时研究表明,Al原子周围的第一近邻原子形成的笼体对Al原子运动的阻碍作用较强.
关键词:
55％ Al-Zn合金
,
熔体结构
,
从头算
