栾庆彬
,
皮孝东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源层
,
半导体
,
纳米晶体
,
硒化镉
,
碲化汞
,
硒化铅
,
锗
,
硅
王金淑
,
刘伟
,
崔云涛
,
张喜珠
,
王亦曼
,
周美玲
稀有金属材料与工程
采用XRD、SEM和AES等分析方法对氧化钪混合钨基及浸渍后的阴极微观结构及表面活性元素的行为进行研究.结果表明:基体内Sc_2O_3弥散均匀分布.在阴极激活过程中,Ba和Sc从内部向表面扩散,在阴极表面形成含Ba、Sc、O的表面活性层,其厚度为M型阴极活性层厚度的10倍以上.对自由钪的产生机制进行了探讨.
关键词:
含钪扩散阴极
,
活性层
,
扩散
,
氧化钪
苏晶
,
刘玉荣
,
莫昌文
,
简平
,
李晓明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0315
氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素.目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等).为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣,并让研究者在选择制备技术时有所参考,文章概述了各种有源层制备技术的特点,并比较了这些制备方法所制备的ZnO TFT器件性能.通过对比各器件性能参数可以发现,脉冲激光沉积和射磁控溅射所制备的ZnO有源层具有较优的性质,并被广泛使用.文章还对ZnO-TFT的优化方法做了简单介绍.
关键词:
氧化锌
,
薄膜晶体管
,
有源层
,
制备方法
田宗民
,
陈旭
,
谢振宇
,
张金中
,
张文余
,
崔子巍
,
郭建
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0849
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42％,开关比(I.n/I..)提升了约70％,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.
关键词:
栅极绝缘层
,
有源层
,
沉积条件优化
,
电学特性
,
改善
杨大磊
,
李泽林
,
赵晓礼
,
孙昭艳
,
杨小牛
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.12.160343
设计合成了一种中等带隙共轭聚合物，聚[ N-（2-己基癸基）-2，2′-二噻吩-3，3′-二甲酰亚胺-交替共聚-5，5-（2，5-双（3-癸氧基噻吩）-2-噻吩基）-噻吩）]（PBTI3T-O），其光谱吸收覆盖波长从400 nm到720 nm，具有较宽的吸收范围，同时易溶于氯苯溶剂，利于溶液加工。 PBTI3T-O与[6，6]-苯基-C71-丁酸异甲酯（ PC71 BM）复合薄膜的空穴迁移率为5.90×10－3 cm2／（ V· s ），该迁移率高于其它大部分聚合物电池给体材料。由于PBTI3T-O较高的空穴迁移率，基于 PBTI3T-O／PC71 BM 的器件在活性层厚度为237 nm 时，效率可以达到5.56％。即使活性层膜厚进一步增加到约300 nm时，器件的效率仍能够保持其最高器件效率的97％，可见其具有在大面积加工工艺中的应用潜力。
关键词:
聚合物太阳能电池
,
D-A型共聚物
,
活性层
,
厚膜
李田生
,
谢振宇
,
李婧
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0720
TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而将产品的良率提升了3％～4％,而电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、迁移率)和正常条件相比没有异常,从而获得了最终完美的解决该不良的方案,提高了产品品质.
关键词:
有源层
,
刻蚀
,
黑点
董俊辰
,
郁文
,
李慧津
,
韩德栋
,
张盛东
,
张兴
,
王漪
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173205.0339
本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管.钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力.透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构.钆铝锌氧薄膜晶体管显示了良好的转移特性和输出特性.器件开关比大于105、饱和迁移率约为10 cm2·V-1·s-1.实验结果表明,钆铝锌氧薄膜可用作氧化物薄膜晶体管的有源层材料;钆铝锌氧薄膜晶体管可作为像素电路的驱动器件.
关键词:
钆铝锌氧
,
薄膜晶体管
,
有源层
