李炎
,
刘玉岭
,
李洪波
,
樊世燕
,
唐继英
,
闫辰奇
,
张金
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.009
对d为300 mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响.通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175 mL/min,抛光机转速为65 r/min,0.5％磨料,0.5％氧化剂,7％鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善.
关键词:
化学机械抛光
,
碱性抛光液
,
磨料
,
片内速率非均匀性
,
表面粗糙度
,
铜膜
李炎
,
孙鸣
,
李洪波
,
刘玉岭
,
王傲尘
,
何彦刚
,
闫辰奇
,
张金
表面技术
目的：探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
关键词:
碱性研磨液
,
铜CMP
,
TSV技术
,
FA/O型螯合剂
,
表面粗糙度
郑伟艳
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
串利伟
,
魏文浩
,
岳红维
,
曹冠龙
功能材料
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化（CMP）须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性（WIWNU）为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低（0.178nm）,表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
关键词:
低压
,
碱性
,
铜布线化学机械平坦化
,
高低差
,
速率
