俞晓东
,
傅仁利
,
井敏
,
何洪
,
宋秀峰
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.04.031
随着大功率模块与电力电子器件的发展,陶瓷表面金属化已得到广泛应用.直接敷铝技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术.在介绍直接敷铝基板的制备方法和性能特点的基础上,重点讨论影响Al-Al_2O_3润湿性能的因素以及这些因素对氧化铝陶瓷基板敷铝过程的影响,同时展望了DAB基板在功率电子系统、汽车工业等方面的应用前景.
关键词:
氧化铝陶瓷
,
基板
,
敷接方法
,
润湿性
刘军
,
贾碧
,
赵子鹏
,
施强
,
叶振华
材料导报
氧化铝陶瓷与石墨作为新型材料广泛应用于机械、电子、航空、石油化工、原子能等领域,二者具有一定的相似性能,其制备、结构及性能的研究已得到广大科技工作者的重视,但对其性能基础理论的对比研究还不够.对氧化铝陶瓷和石墨材料的耐磨性、疲劳、抗氧化性、形变、导电等性能进行了比较,指出在某些领域可用氧化铝陶瓷取代石墨材料.氧化铝陶瓷的高强度、耐磨、不易变形等性能能更好地满足工业加工,对节能环保具有重大意义.
关键词:
氧化铝陶瓷
,
石墨
,
耐磨性
,
抗氧化性
,
导电
李学钊
,
沈景凤
,
顾青青
,
谢建林
,
王恩元
,
胡婉琼
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201606020
通过响应面法研究了升温速率、热处理温度和保温时间对 Al2 O3陶瓷断裂韧性的影响并确定了最佳热处理工艺,分析了最佳工艺热处理后该陶瓷的性能和显微结构.结果表明:随着热处理温度的升高和保温时间的延长,Al2 O3陶瓷断裂韧度先升后降,各因素对断裂韧度的影响由大到小依次为热处理温度、保温时间、升温速率;温度和保温时间的交互作用对断裂韧度的影响最大,其次为升温速率和温度交互作用的,升温速率和保温时间交互作用的影响最小;最佳热处理参数为升温速率4℃?min-1、温度1150℃、保温时间230 min,在该条件下热处理后Al2 O3陶瓷的断裂韧度由未热处理的3.25 MPa?m1/2提高到5.1 MPa?m1/2,晶粒尺寸均匀、晶间缺陷及气孔数量减少.
关键词:
Al2 O3 陶瓷
,
热处理
,
断裂韧性
,
响应面法
,
显微结构
卢才璇
,
王利民
,
陈思敏
,
孟晓明
,
吴昊
,
詹耿
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201609006
采用凝胶发泡法制备了变压器隔声降噪用Al2 O3泡沫陶瓷,通过试验得到了胶凝剂和发泡剂的最佳加入量,研究了在该最佳加入量下制备试样的厚度及其背后空腔尺寸对吸声性能的影响.结果表明:当发泡剂和胶凝剂的质量分数均为1.00%时,制备的泡沫陶瓷的孔隙率为75.2%,平均孔径为150μm,抗弯强度和抗压强度分别为8.13 MPa 和5.41 MPa;当试样厚度为15 mm、背后空腔厚度为20 mm 时,Al2 O3泡沫陶瓷的峰值吸声系数可达0.8,其在100~500 Hz低频范围的吸声系数为0.12~0.65.
关键词:
泡沫陶瓷
,
降噪
,
Al2 O3 陶瓷
,
吸声性能
李发亮
,
段红娟
,
陈子瑛
,
钟翔
,
刘奇
,
曹南萍
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2017.01.004
为改善氧化铝陶瓷的韧性,以Al2O3、SiO2和AlF3·3H2O为原料,原位合成了莫来石晶须-氧化铝复合体系.探讨了AlF3·3H2O加入量(质量分数分别为2.9%、9.1%和16.6%)和热处理温度(1 400、1 500和1 600 ℃)对在Al2O3为80% ~ 90%(ω)的粉体中原位合成莫来石晶须的影响,并研究了莫来石晶须的生长机制.结果表明:原位合成莫来石晶须-氧化铝复合体系的最佳工艺条件是AlF3·3H2O加入量为9.1%(ω),热处理条件为1 600℃保温5h;生成的莫来石晶须长度可达50 μm,长径比可达25;莫来石晶须的原位生长遵循气-固(VS)机制.
关键词:
莫来石晶须
,
原位合成
,
氧化铝陶瓷
,
生长机制
陆聪
,
杨建
,
李晓云
,
丘泰
人工晶体学报
在掺有0.5wt% Cr2O3的95%氧化铝瓷基础上掺入0~1.5wt%的MnO2,研究了铬锰复合掺杂即MnO2掺入量对氧化铝陶瓷物相、显微结构、烧结性能、电阻率、介电常数和真空耐压性能的影响.结果表明,MnO2掺杂通过固溶进Al2O3晶格,促进了95%氧化铝陶瓷的烧结和晶粒生长,提高了显微结构的均匀性和致密性.随着MnO2掺入量的增加,材料的电阻率明显下降,介电常数略微减小.铬锰复合掺杂对氧化铝陶瓷真空耐压性能的影响与MnO2的掺入量密切相关.在掺0.5wt% Cr2O3的情况下,当MnO2掺入量为1~1.5wt%时,材料的闪络电压高于未掺杂MnO2的样品,掺1.5wt% MnO2样品的闪络电压最高,达54 kV/cm.
关键词:
氧化铝陶瓷
,
真空沿面闪络
,
复合掺杂
,
氧化锰