黄小丽
,
田杨萌
,
胡晓青
材料科学与工程学报
如何获得理想的氮化铝陶瓷是电子陶瓷材料研究领域的重要课题.本研究采用纳米复合添加剂Y_2O_3-La_2O_3,分别在1600℃、1650℃、1700℃、1750℃和1800℃下,无压烧结氮化铝陶瓷.测定并分析了AlN陶瓷的性能和微观结构.实验结果表明:烧结温度达到1750℃,就可获得致密烧结,此时...
关键词:
氮化铝
,
纳米添加剂
,
烧结
,
热扩散率
黄翔
,
王晓鹏
,
王同昆
,
商庆浩
,
张湘汉
,
张晓
材料开发与应用
本文以碳酸钠和氯化铝沉淀制得的活性氧化铝为原材料,在高温下与氨气反应,制得氮化铝粉体,并对比掺杂氧化镧前后,活性氧化铝生成氮化铝条件的不同.实验过程中,运用XRD对制得的粉体进行物相分析.结果表明,当反应温度达到1 200℃时,掺杂镧的氧化铝能制得纯净的氮化铝粉体,而未掺杂镧的氧化铝则需要更高的温度...
关键词:
活性氧化铝
,
氮化铝
,
氧化镧
,
氨气
刘伟南
,
韩亚苓
,
刘玉微
,
马智欣
,
韩睿
硅酸盐通报
氮化铝具有良好的热学、电学和机械等性能,是理想的电子封装材料和高性能陶瓷基板材料.本文研究了AlN加入量和烧结温度对Al2O3/AlN复相陶瓷相组成和显微组织的影响.结果表明该陶瓷在1400～ 1550℃烧结时,AlN被部分保留,少量氧原子进入AlN晶格,烧结生成4种铅锌矿结构新相,有利于提高复相陶...
关键词:
氧化铝
,
氮化铝
,
新相
,
显微组织
雷爱华
,
黄增彪
,
邓华阳
,
黄宏锡
,
佘乃东
绝缘材料
以氮化铝为导热填料对环氧树脂进行填充改性，制备铝基覆铜板。研究氮化铝的填充量对铝基板绝缘层耐电压、热导率以及剥离强度的影响。对氮化铝进行表面处理，并对处理后的氮化铝对铝基板绝缘层性能的影响进行分析。结果表明：绝缘层的热导率随氮化铝填充量的增加而增大，在填充量大于40%时呈现快速增长，而剥离强度随填充...
关键词:
铝基覆铜板
,
耐电压
,
高导热
,
氮化铝
刘文彬
,
熊宁
,
王铁军
,
李永卿
硅酸盐通报
以TiB2为微波衰减剂,通过高温热压烧结工艺制备出AlN基微波衰减陶瓷材料.研究了微波衰减剂含量对陶瓷材料的显微结构与热导率、介电性能的影响.结果表明:随着TiB2含量的增加,材料的热导率从110 W/m·K降低到72 W/m·K,微波频率10 GHz下介电常数逐渐增加,介电损耗从0增加到0.17,...
关键词:
氮化铝
,
热导率
,
微波衰减
,
介电性能
聂琰
,
曲敏杰
,
吴立豪
,
王艳
,
何苗
,
赵建
,
冯钠
,
侯月娇
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151211.001
以聚醚醚酮(PEEK)为基体树脂、碳纤维(CF)和氮化铝(AlN)为填料,通过模压成型的方法制备了抗静电耐热型CF-AlN/PEEK复合材料.采用高阻计、导热系数测定仪、热失重、差示扫描量热仪和SEM研究了CF-AlN/PEEK复合材料的抗静电性能、热性能、力学性能以及降温速率对复合材料性能的影响,...
关键词:
碳纤维
,
氮化铝
,
聚醚醚酮
,
复合材料
,
抗静电
,
热处理
王华杰
,
刘学超
,
孔海宽
,
忻隽
,
高攀
,
卓世异
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160250
采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700 ～ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200 ～ 400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明:AlN晶柱表面为整齐...
关键词:
Ⅲ-Ⅴ族半导体
,
氮化铝(AlN)晶体
,
六方微米柱
,
物理气相输运(PVT)
