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潘孝军 , 张振兴 , 贾璐 , 李晖 , 谢二庆
无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00725
利用直流磁控溅射方法制备了GaN薄膜. X射线衍射及Raman光谱结果表明薄膜样品为非晶结构; 傅立叶红外光谱表明薄膜样品的主要吸收峰为Ga--N键的伸缩振动; 光致发光测试得到了360nm处的紫外发光谱; 测量薄膜样品的紫外-可 见谱, 并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙为3.74eV, 这与光致发光谱得到的结果是一致的.
关键词: 非晶氮化镓 , DC sputtering , optical properties