彭启才
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周心明
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蔡伯埙
材料研究学报
采用等离子体辉光放电单室系统制备的a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的S-W 效应。随着子层厚度L 减小,多层膜曝光态(B)的暗电导率σdB 较退火态(A)的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙E_g,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。
关键词:
a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H
,
superlattice
,
amorphous semiconductors electrical properties
,
optical properties
,
null
