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射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响?

鲁媛媛 , 李贺军 , 杨冠军 , 蒋百灵 , 杨超

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.006

于不同射频功率下制备出非晶 Si 膜并对其进行真空退火处理，采用 XRD、TEM和少子寿命测试仪等检测手段分析了退火前后薄膜的微观结构及电学性能。研究发现，随着射频功率的增加，薄膜的中程有序度和少子寿命均呈先增后减的趋势。经真空退火处理后，非晶硅膜得以晶化，少子寿命较退火前有大幅提高；另外，退火后薄膜的晶化率和少子寿命随射频功率的变化趋势与退火前一致，说明同一热力学条件下薄膜的中程有序度越高越容易发生晶化。

关键词: 硅膜 , 射频功率 , 真空退火 , 微观结构 , 少子寿命