唐立丹
,
梅海林
,
冯嘉恒
,
王冰
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.021
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析.结果表明,采用原子层沉积在150℃下制备 AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al 掺杂对 ZnO 的(002)有明显的抑制作用,Al 在基体中弥散分布,其部分替换ZnO 晶格中的Zn,以Al—O 的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO 薄膜电阻率为4．61×10－4Ω·cm.
关键词:
Al 掺杂 ZnO
,
原子层沉积
,
低温生长
,
晶态薄膜
廖荣
,
张海燕
,
谢佳亮
,
杨铁铮
,
罗文中
,
胡伟
材料导报
用原子层沉积法在钠钙玻璃上沉积氧化锌薄膜,利用场发射扫描电镜和X射线衍射(XRD)等对样品表面形貌和物相进行分析,结果表明得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的尺寸在30～60 nm之间；测得的ZnO薄膜厚度仅50 nm,符合缓冲层要求；薄膜在可见光区域透射率达90％以上；使用原子层沉积氧化锌薄膜作铜铟镓硒太阳能电池的缓冲层,TEM显示氧化锌层完好、致密地覆盖在CIGS层上,电池的光电转换效率较高,完全可以替代有毒的CdS作缓冲层.
关键词:
原子层沉积
,
氧化锌薄膜
,
铜铟镓硒太阳能电池
,
缓冲层
李惠琴
,
陈晓勇
,
王成
,
穆继亮
,
许卓
,
杨杰
,
丑修建
,
薛晨阳
,
刘俊
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.012
原子层沉积( ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术，具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点，适用于纳米多孔和高深宽比基底材料，可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备，广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理，介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展，涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域，对ALD技术当前存在的问题进行了分析，并展望了未来发展方向。
关键词:
原子层沉积
,
薄膜技术
,
高深宽比结构
,
纳米多孔结构
,
微纳结构器件
聂祥龙
,
马大衍
,
徐可为
稀有金属材料与工程
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO2高介电质薄膜.系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO2薄膜生长质量的影响.通过工艺调控,发现存在两种薄膜生长模式:类CVD(化学气相沉积)生长模式和ALD生长模式.发现薄膜的生长模式主要依赖于制各工艺参量:脉冲参量M和冲洗参量Q,通过优化工艺参数,可实现薄膜生长由类CVD生长模式向ALD生长模式的转变,并获得了0.1 nm/周次的最优薄膜生长速率.同时,薄膜微结构与表面形貌的表征结果表明:薄膜的非晶晶态转变受温度和膜厚两个因素共同控制.
关键词:
高介电质薄膜
,
HfO2
,
原子层沉积
,
生长行为
卢维尔
,
董亚斌
,
李超波
,
夏洋
,
李楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13449
原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜.该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术.作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率.本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势.
关键词:
原子层沉积
,
生长速率
,
生长机制
,
位阻效应
龚婷
,
秦利军
,
严蕊
,
胡岚
,
姬月萍
,
冯昊
无机材料学报
doi:10.15541/jim20130572
通过原子层沉积(ALD)技术以三甲基铝和水作为前驱体在二硝酰胺铵(ADN)表面沉积氧化铝包覆膜。分别采用扫描电子显微镜(SEM), X射线光电子能谱(XPS)对包覆后ADN的表面形貌、化学成分进行了分析,通过蒸汽吸附分析仪(VSA)对包覆氧化铝薄膜的ADN样品进行了吸湿性测试,并且对ADN表面氧化铝薄膜生成机理进行了探讨。结果表明：ALD氧化铝薄膜对ADN表面形成了完整的包覆,薄膜厚度最高可达数百纳米。包覆有ALD氧化铝薄膜的ADN样品暴露在潮湿空气中48 h形貌不发生明显变化。在25℃,湿度70%的环境条件下, VSA测得包覆200和400周期氧化铝薄膜的ADN吸湿率分别为40.99%和40.75%。以上研究结果表明,尽管ALD氧化铝对ADN表面实现了完整包覆并在潮湿空气中维持了样品形貌,被包覆的ADN样品吸湿性尚未获得明显改善。
关键词:
原子层沉积(ALD)
,
二硝酰胺铵(ADN)
,
氧化铝
,
吸湿性
杨超
,
李莹
,
闫璐
,
曹韫真
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150594
通过原子层沉积(ALD)工艺在硅基底依次沉积氧化铝缓冲层薄膜和氧化铁催化薄膜,然后利用管式炉进行水辅助化学气相沉积(WACVD)生长垂直碳纳米管阵列(VACNTs)。结果表明： ALD工艺制备的氧化铁薄膜经还原气氛热处理可形成碳纳米管阵列生长所需的纳米催化颗粒；氧化铁薄膜厚度与纳米催化颗粒大小以及生长出的碳纳米管阵列的结构密切相关。当氧化铁薄膜厚度为1.2 nm时,生长出的碳纳米管阵列管外径约为10 nm,管壁层数约为5层,阵列高度约为400?m。增大氧化铁薄膜的厚度,生长出的碳纳米管阵列外径和管壁数增加,阵列高度降低。实验还在硅基底侧面观察到了VACNTs,表明ALD工艺可在三维结构上制备催化薄膜用于生长VACNTs。
关键词:
原子层沉积
,
氧化铁
,
水辅助化学气相沉积
,
垂直碳纳米管阵列
,
结构可控
,
三维样品
周忠伟
,
李民
,
徐苗
,
邹建华
,
王磊
,
彭俊彪
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163106.0532
原子层沉积(ALD)方法可以制备出高质量薄膜，被认为是可应用于柔性有机电致发光器件(OLED)最有发展前景的薄膜封装技术之一.本文采用原子层沉积(ALD)技术，在低温(80℃)下，研究了 Al2 O3及TiO2薄膜的生长规律，通过钙膜水汽透过率(WVTR)、薄膜接触角测试等手段，研究了不同堆叠结构的多层 Al2 O3/TiO2复合封装薄膜的水汽阻隔特性，其中5 nm/5 nm×8 dyads(重复堆叠次数)的Al2 O3/TiO2叠层结构薄膜的WVTR达到2．1×10-5 g/m2/day.采用优化后的 Al2 O3/TiO2叠层结构薄膜对 OLED器件进行封装，实验发现封装后的 OLED 器件在高温高湿条件下展现了较好的寿命特性.
关键词:
有机电致发光器件
,
薄膜封装
,
原子层沉积
,
水汽透过率
