瞿淳清
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陈昌兆
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刘志勇
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鲁玉明
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蔡传兵
低温物理学报
采用两步固相反应法，在母相FeAs=1111结构的NdFeAsO中掺入BaF2，实现电子与空穴的双掺杂．该体系超导转变温度（Tc）在33-50K范围，取决于名义BaF2掺杂量x．在实验范围内，掺杂量越大，转变温度越高，当x=0．2时，Tc达到50K．磁电阻测量表明：高掺杂量样品（例如x=0．2）具有较高的上临界场（Hc2）和不可逆场（Hirr），其剩余电阻率（RRR）也较大．交流磁化率和磁化临界电流密度研究表明，低磁场下磁通耗散在10^-2～10^-4秒时间窗口变化并不明显，而高应用磁场下其磁通钉扎力密度（Fp）对温度依赖性强，中高温区下降到小于10MN／m^3．表明：高磁热状态下，当前多晶体样品的磁通钉扎性能有待提高．
关键词:
铁基超导
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双掺杂
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临界电流密度
