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低阴极沉积电位对铝合金表面硅烷膜层的影响

徐以兵何德良周舟钟建芳许超崔正丹曾丽萍

中国腐蚀与防护学报

在低阴极沉积电位条件下，使用表面活性剂改性硅烷溶液，实现了双-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物（BTSPS）在铝合金电极表面的电化学沉积，新的临界沉积电位（NCCP）约为-1.6 V。研究表明，在低阴极沉积电位下铝合金表面能得到更厚、更致密的硅烷膜层，并且在改性后溶液中制备的膜层具有较高的极化阻力。表面活性剂的加入可以降低沉积时析氢的影响，提高硅烷沉积性能。临界沉积电位的降低，使得硅烷覆盖的铝合金电极比临界沉积电位（-0.8 V）下的电极具有更好的抗腐蚀性能。

关键词: 铝合金 , silane film , low cathodic potential , surfactant , bis-1,2-[triethoxysilylpropyl]tetrasulfide