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Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展

周明斌 , 李振荣 , 李静思 , 吴熙 , 范世马豈 , 徐卓

人工晶体学报

以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈.在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快.本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂...

关键词: 氮化镓 , 体单晶 , Na助熔剂法 , 进展