熊娟
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顾豪爽
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胡宽
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吴小鹏
稀有金属材料与工程
采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜.研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N_2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响.用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长.氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N_2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜.经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备.
关键词:
AlN薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
c轴择优取向
,
Mo电极
宋世金
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虞澜
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傅佳
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陈琪
,
邱兴煌
,
钟毅
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.002
分别采用常压固相反应和进一步的真空热压烧结法制备了Ca3Co4O9多晶块材,通过XRD、SEM、致密度、电阻率-温度曲线、霍尔效应测试,对比研究了热压烧结对多晶织构和电输运性质的影响.结果表明两种方法制备的多晶样品均为c轴择优,经热压烧结后多晶的择优织构显著增强,致密度增大,但真空烧结使样品中氧的化学计量比不足,结晶质量略有下降.热压烧结后多晶的面内电阻率显著下降,其室温电阻率约为常压烧结样品的1/7,且电阻率随温度的降低而增大,这主要是由于热压样品晶粒沿(00l)择优排列显著增强,使沿材料ab面内的电输运占优,且晶界和缺陷散射减弱使Co4+载流子迁移率增大.
关键词:
Ca3Co4O9多晶
,
热压烧结
,
c轴择优
,
电输运
吴莉姝
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赵北君
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何知宇
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陈宝军
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朱世富
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黄巍
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杨登辉
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沙铭宇
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王文阳
人工晶体学报
采用一种新的定向方法,快速定出了AgGa0.7In03Se2晶体c轴方向,制备得到[001]、[100]方向的块状样品;采用德国B(a)hr公司的WinTA 100热膨胀仪对其进行测试,分别获得了晶体沿c轴、a轴方向的热膨胀系数,分析了它们随温度变化的规律以及晶体出现反常热膨胀的机制;计算出晶体的体热膨胀系数和各向异性因子,分析讨论了晶体非轴向热膨胀系数在不同温度下随cos2φ的变化规律.
关键词:
AgGa0.7In0.3Se2
,
c轴定向
,
热膨胀
