王松
,
何国田
,
王平
,
宋莉
,
冉迎春
,
张德胜
功能材料
磁流变液的电学特性可以广泛应用于自动控制、医疗、汽车工业、飞机制造等诸多领域。推导出了磁流变电容与介电常数之间的计算公式,制作了可以盛载磁流变液的可变电容,测量了磁流变液作为电解质时电容随磁场的变化情况,以及不同浓度的磁流变液的介电常数随磁场的变化情况,得到了磁流变液电容-磁场变化的曲线和磁流变液介电常数-磁场变化的曲线,最后对实验结果作了分析,得出当磁场增大时,介电常数也变大,从而导致磁流变电容增大的结论。
关键词:
磁流变液
,
电容
,
介电常数
,
磁场强度
夏克
,
叶贤刚
,
孟祥富
,
许民
绝缘材料
为研究影响变频电机用漆包线老化寿命的主要因素，采用不同规格的变频电机用漆包线作试样，对比研究了在不同脉冲电压上升时间下变频电机用漆包线的老化寿命。结果表明：在其它测试条件不变的情况下，试样电容值的变化会导致脉冲电压上升时间的变化，进而影响老化寿命；当脉冲上升时间加长时，击穿时间也延长；当脉冲上升时间缩短时，击穿时间也随之减少。
关键词:
电容值
,
上升沿
,
脉冲电压上升时间
,
老化寿命
党宇
,
王瑶
,
邓元
,
张烨
,
张传玲
,
李茂
复合材料学报
选用柔性高分子材料聚偏氟乙烯（PVDF）作为基体,纳米钛酸钡陶瓷（BaTiO3）作为填充相,采用简单的溶液共混以及流延工艺制备BaTiO3/PVDF薄膜。通过SEM观察了复合材料体系的微观结构,研究了BaTiO3/PVDF介电复合材料的介电性能。把所制备的BaTiO3/PVDF复合材料薄膜（70mm×30mm×25μm,电极面积：600mm2）加工成卷绕式薄膜电容器,研究了该电容器的电容、损耗、击穿电压以及温度稳定性等性能。结果表明,BaTiO3/PVDF复合材料具有良好的介电性能,其薄膜电容器性能优异,电容值为3.34nF,损耗低于0.03,在测试频率范围内保持稳定,击穿电压达到1.3kV,并且在100℃以内能保持良好的电容性能。
关键词:
复合材料
,
BaTiO3
,
聚偏氟乙烯
,
介电性能
,
薄膜电容器
,
电容
孙雅茹
,
张微微
,
李海全
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.02.150264
以草酸铌铵和葡萄糖为原料,经水热反应在泡沫镍基底上负载了含Nb的电容材料.通过红外光谱仪(FFIR)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等技术手段对制备的样品进行表征,比较不同条件下的含Nb电容材料的表面形貌,得出水热反应的最佳工艺条件,并对样品的电化学性能进行了研究.结果表明,制备含Nb电容材料的最佳工艺条件是葡萄糖和草酸铌铵的摩尔比为7∶1,反应温度200℃,反应时间18h,在此条件下,负载在泡沫镍上的含Nb氧化物的量为0.3707 g/cm2;当充放电电流密度为0.5 A/g时,含Nb电容材料的最大比电容能达到189.47 F/g,经过1000次循环后,其放电比电容的保持率仍保持在95％以上,是一种具有应用前景的超级电容器材料.
关键词:
泡沫镍
,
含铌电容材料
,
电流密度
,
比电容
江宁
,
彭佳
,
罗杨
,
吴广宁
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.07.011
为研究变频调速牵引电机的绝缘老化机理，采用高压方波脉冲对变频电机匝间绝缘绞线对试样进行加速老化试验，通过分析不同老化时间下绞线对的电容值和介质损耗因数(tanδ)，对绞线对在高压方波脉冲条件下的绝缘老化机理进行研究。结果表明：随着老化时间的延长，试样电容值逐渐减小，介质损耗逐渐增大。低频时绞线对的介电温度谱在125℃出现一个明显的损耗吸收峰，高频时在85℃出现一个损耗低谷。30℃时绞线对的介电频率谱在10~100 kHz频率段出现损耗峰，峰值随老化时间延长而增大，而在80℃和150℃损耗峰消失，同时tanδ逐渐减小。老化后绞线对绝缘膜的有机相被烧蚀，留下颗粒状的不连续团簇物。
关键词:
变频牵引电机
,
绞线对
,
极化
,
老化
,
电容值
,
介质损耗
伊昭宇
,
贺冲
,
朱君秋
,
邵艳群
,
唐电
中国有色金属学报
采用热分解法制备Ti/Ru0.4Mn(0.6-x)SnxO2(x=0,0.3,0.6)三元氧化物电极材料.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、循环伏安(CV)、交流阻抗谱(EIS)和恒流充放电分析Ti/Ru0.4Sn(0.6-x)MnxO2电极材料的组织结构和电容性能.结果表明:三元氧化物电极中SnO2的加入能抑制RuO2表面析出,且有利于形成Ru-Mn-Sn-O固溶体氧化物;而MnO2的加入可以降低氧化钌的结晶度.三组元相互配合降低离子扩散阻力,提高活性材料的利用率,从而提高Ti/Ru0.4Mn(0.6-x)SnxO2电极材料的电荷存储能力.Ti/Ru0.4Mn0.3Sn0.3O2三元电极的比电容可达682 F/g,约为Ti/RuO2-SnO2和Ti/RuO2-MnO2二元氧化物电极的2～3倍.
关键词:
二氧化锰
,
二氧化锡
,
比电容
,
交流阻抗
李颖弢
,
刘肃
,
王方聪
,
张春林
,
岳红菊
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.003
已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED), 可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度.文章主要对OLEDs (A): Al/Alq3/ITO和(B): Al /LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1 nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72 500 pF减小到12 500 pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能.
关键词:
OLEDs
,
LiF
,
电容
丹媛媛
,
张丽
,
曹春纪
,
陈景晶
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2014.40241
采用温和水相合成法制备出纳米Mn3O4,采用X射线衍射(XRD)、电子能谱(XPS)及透射电子显微镜(TEM)等技术手段对其结构、组成与形貌进行了研究分析;并利用循环伏安(CV)及充放电等电化学测试研究了纳米Mn3 O4的电容性能.结果表明,本实验所制备的纳米Mn3O4为四方相γ-Mn3O4,其粒径大小为40～60nm;该材料具有良好的电容性能,其比电容值可达270 F/g,且经1000次循环后,其比电容值可达原来的85％.
关键词:
纳米四氧化三锰
,
电容
,
均相合成
