陕绍云
,
杨建锋
,
高积强
,
张文辉
,
金志浩
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00913
以廉价的二氧化硅和活性碳为起始粉料, 用碳热还原法制备了高气孔率, 孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷.考察了二氧化硅粉末粒径对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响. 借助X射线衍射(XRD), 扫描电子显微(SEM)和三点弯曲法对多孔氮化硅陶瓷的微观组织和力学性能进行了研究. XRD分析表明在烧结后的试样中, 除了微量的α-Si3N4相和晶界结晶相Y8Si4N4O14外, 其余的都是β-Si3N4相; SEM分析显示多孔氮化硅陶瓷是由柱状β-Si3N4晶粒和均匀的孔组成, 通过改变二氧化硅的粒径, 制备了不同孔隙率, 力学性能优异的多孔氮化硅陶瓷.
关键词:
碳热还原法
,
porous silicon nitride
,
icrostructure
,
mechanical properties
陈杰
,
王晓刚
硅酸盐通报
通过对碳热还原合成SiC冶炼炉温度场的数值模拟及实验,揭示了冶炼炉内温度场的演变规律.研究表明,碳化硅合成过程中,热量以热源为中心呈辐射状向外传递,其合成温度(1600℃)等温面也逐渐向外扩大,表现为SiC的合成反应温区增大;SiC的大量合成发生在中后期,合成持续,SiC合成温区面积增加缓慢.合成时间过长,会导致已生成的SiC分解,容易形成实际生产中喷炉事故;适当比例的SiC分解,有利于形成高致密的碳化硅产品.
关键词:
碳热还原法
,
SiC
,
温度场
,
演变规律
,
数值模拟
雷景轩
,
施鹰
,
谢建军
,
石坚波
,
邬浩
,
赵中坚
,
胡伟
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.08.007
以纳米炭黑、微米碳粉为碳源，采用碳热还原法合成AlON粉体和无压烧结制备AlON透明陶瓷。利用X射线衍射仪、扫描电镜、颗粒度分析仪和分光光度计等研究碳源对粉体及陶瓷制备的影响。结果表明：碳源尺寸及形貌与A lO N粉体的合成温度、粉体形貌及颗粒大小密切相关；采用纳米炭黑降低了A lO N粉体的合成温度，在1730℃合成了单相粉体；采用微米碳粉在1750℃煅烧2h条件下制备了高纯度的AlON粉体，从而制备了高透光率的AlON陶瓷，该样品（1mm厚）在1000～5000nm波长范围内的直线透过率在80％左右，在3．93μm波长处光学透过率最高可达83．7％，其平均晶粒尺寸为110～120μm。
关键词:
AlON
,
透明陶瓷
,
碳源
,
碳热还原法
,
无压烧结
胡继林
,
田修营
,
彭红霞
,
胡传跃
,
彭秧锡
人工晶体学报
以碳化硅(SiC)、二氧化钛(TiO2)和不同种类碳源为初始原料,采用碳热还原法在氩气气氛下原位合成SiC-TiC超细粉末.探讨了不同碳源和不同反应温度对所合成的SiC-TiC超细粉末的物相组成和显微形貌的影响.采用X-射线衍射仪(XRD)、激光粒度分析仪、扫描电镜(SEM)等手段对所合成的SiC-TiC超细粉末进行表征.实验结果表明,以蔗糖为碳源合成SiC-TiC超细粉末的适宜条件为1450 ℃保温2 h;以炭黑或葡萄糖为碳源合成超细粉末的适宜条件为1500 ℃保温2 h.三种碳源中以炭黑为碳源时所合成的SiC-TiC超细粉末粒度最小且合成出的粉末样品分散性好,大部分球状颗粒在0.5~1.0 μm 左右.在SiC粉末中原位合成的TiC颗粒,以粒径在0.1~0.2 μm左右的不规则的多样化结构颗粒存在.
关键词:
碳源
,
SiC
,
TiC
,
超细粉末
,
碳热还原法
,
原位合成
田庭燕
,
杜洪兵
,
姜华伟
,
孙峰
,
张微
,
冯志华
硅酸盐通报
本文以γ-Al_2O_3和活性碳为原料,采用碳热还原法合成高纯超细γ-ALON粉.并以γ-Al_2O_3和碳粉的配比、合成温度、保温时间以及除碳等方面分别探讨了碳热还原法合成γ-ALON粉的适宜工艺条件;通过对合成粉料的XRD、SEM分析,表明该方法合成的ALON粉晶形发育完善、粒度均匀、纯度高.
关键词:
碳热还原法
,
γ-ALON
,
合成工艺
