许洁
,
魏长平
,
贾坤
功能材料
采用溶胶-凝胶法制备Ca((2.7)M_(0.3)Co_4O_9(M=Ag~+,Sr~(2+),Yb~(3+_)系列陶瓷样品,通过XRD和SEM对样品结构进行表征,考察了掺杂对材料电阻率和Seebeck系数的影响.陶瓷样品XRD图呈现出尖锐的(00l)相,且断面形貌呈片层状,说明压片烧结使样品内部晶...
关键词:
钴酸钙
,
掺杂
,
载流子浓度
,
功率因子
文思逸
,
邹苑庄
,
胡飞
,
文圆
人工晶体学报
采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系的中电化学沉积法制备Cl∶ Cu2O薄膜,通过光电流(l-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响.结果表明当pH值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜.随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度...
关键词:
电化学掺杂
,
Cu2O薄膜
,
载流子浓度
,
光稳定性
,
载流子寿命
石磊
,
徐学诚
复合材料学报
用溶液共混法制得了MWNTs/PS-PVC复合材料,进行了电导率的测试分析.通过对载流子浓度、迁 移率的测量以及电导活化能的计算等分析研究了影响MWNTs/PS-PVC复合材料电导率的因素和导电机制.结 果表明:当PS与PVC的质量比为1∶1时,MWNTs/PS-PVC复合材料的导电阈值最低；当MW...
关键词:
多壁碳纳米管
,
聚苯乙烯
,
聚氯乙烯
,
电导率
,
载流子浓度
,
导电机制
徐继平
,
程凤伶
人工晶体学报
电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导...
关键词:
电化学C-V
,
MOCVD
,
GaAs
,
载流子浓度
