温胜山
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梁晓丽
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姚金环
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潘观林
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李延伟
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张灵志
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法制备了Al3+/Ni2+摩尔分数分别为0％,5％,10％,15％和20％的Al取代Ni(OH)2样品.振实密度测试发现当Al含量低于10％时,随着Al含量的增加样品的振实密度急剧增大;当Al含量为10％时,样品具有最大的振实密度;继续增加Al含量,样品的振实密度开始降低.X射线衍射分析发现,当Al含量低于5％时,样品的晶型为β相;当Al含量在5％～l0％时,样品的晶型为α帮混合相;当Al含量高于1o％时,样品的晶型为a相.循环伏安(CV)、电化学交流阻抗(EIS)和充放电测试研究表明:掺Al样品比未掺Al样品具有更高的电化学活性.其中Al含量为15％的样品具有最好的电化学性能,在100 mA/g恒电流充放电下的稳定质量比容量和体积比容量分别高达324 mAh/g和516mAh/cm3,并且具有优异的循环性能.
关键词:
氢氧化镍
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Al取代
,
化学共沉淀法
,
振实密度
,
电化学性能
崔洪梅
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武晓峰
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陈运法
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唐文翔
人工晶体学报
以六水合氯化镁(MgCl2·6H2O)为镁源,水合肼(N2H4·2H2O)为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备纳米氢氧化镁前驱体煅烧得到分散性良好的不同纳米结构的氧化镁(MgO)纳米片.通过XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行分析,初步研究了反应温度和时间对MgO纳米片的形貌和结构影响,分析了MgO多孔纳米片的生长机理.结果表明:25℃,24h下MgO纳米片大小均一尺寸在20～40 nm；当温度升高到100℃,72 h生长的多孔MgO纳米片缺陷多,是晶粒相互连接起来的,纳米孔洞在10 nm；140℃72 h制备的多孔纳米片尺寸均一在100～200nm.因此可以通过调节反应温度和时间来控制多孔氧化镁纳米片结构.
关键词:
氧化镁
,
化学共沉淀
,
反应温度
,
缺陷
