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具有有序宏观结构纳米碳纤维的制备及其性能应用

吴强 , 武美霞

功能材料

以CH4为碳源,金属Ni为催化剂,采用化学气相沉积法(CVD)在有序宏观基体材料(SiO2纤维,Al2O3纤维)上制备出纳米碳纤维。利用场发射扫描电镜(FE—SEM)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱(Raman)以及热重分析(TG)对产物进行了微观形貌和结构的检测。结果表明,所制备的纳米碳纤维具有取向性,能够在有序宏观基体材料上形成致密有序的纳米碳纤维层;与Al2O3纤维相比,SiO2纤维更易于生成高质量的纳米碳纤维;所制备的纳米碳纤维遵循顶端生长模式。此外,采用纳米碳纤维作模板可以原位合成出具有有序宏观结构的纳米LaMnO3,它能明显降低碳黑颗粒的起燃温度,具有潜在的应用前景。

关键词: SiO2纤维 , Al2O3纤维 , 化学气相沉积法(CVD) , 纳米碳纤维(CNFs) , 模板法

CVD金刚石膜产业化应用问题分析及展望

宋彦军 , 陶隆凤 , 王礼胜

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.08.009

CVD金刚石膜材料具有优异的力、热、声、光、电学等性质并由于尺寸可控从而弥补了天然金刚石在尺寸、杂质方面的应用限制,因而具有广阔的发展前景.结合当前金刚石膜应用发展中遇到的技术及经济问题,从金刚石膜产品质量的提高及生产成本的控制两方面讨论了CVD金刚石膜在今后大规模产业化应用中应注意的细节.在提高金刚石膜产品质量上,应努力缩短与国外厂家在CVD设备设计及制造方面的差距,提高金刚石膜材料的机械强度以及增强金刚石膜与衬底材料间的结合力;在控制金刚石膜产品价格上,可通过循环利用反应气体,改进反应腔结构,合理调配功率等手段降低生产成本以增强CVD金刚石膜的市场竞争力.今后应针对金刚石膜材料的光学、声学、化学、电学以及生物学等领域不断开发更广泛的新用途.

关键词: 金刚石膜 , 化学气相沉积 , 质量 , 成本

化学气相沉积生长石墨烯薄膜转移方法及转移用支撑材料的研究进展

蔡伟 , 王聪 , 方小红 , 陈小源 , 杨立友

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201511002

根据化学气相沉积生长石墨烯薄膜转移过程中支撑物的不同,将转移方法分为聚合物支撑法、非聚合物支撑法以及无支撑法,重点对聚合物支撑法用支撑材料进行了分析,并对相关的转移技术进行较完整的总结,并指出了未来的研究方向。

关键词: 石墨烯 , 化学气相沉积 , 支撑材料 , 转移技术

锥状TiO2纳米带制备及光电性质研究

张清林 , 王小件 , 王黎明 , 樊超 , 夏明霞 , 潘安练

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.02.001

采用化学气相沉积法,利用金属钛片为钛源,在金属Pd颗粒的催化下原位生长了锥状TiO2纳米带.扫描电镜(SEM)、XRD和透射电镜(TEM)表征结果表明所制备的锥状TiO2纳米带长度为数十微米,接近基底的底端宽度为1~4μm,顶端形成几十纳米的尖端;此纳米带晶型为金红石结构;锥状TiO2纳米带生长方向是长度方向为[110],横向是[001]方向.对比实验验证了金属Pd颗粒对锥状TiO2纳米带的生长初期起着重要的作用.笔者认为纳米带生长的初期由VLS生长机制决定,而固态Ti原子的扩散对锥状纳米带的形成起着重要的作用.单根TiO2纳米带不同位置的微区拉曼谱均有442 cm-1、604 cm-1两个响应带,分别对应着TiO2金红石相Eg和A1g的拉曼活跃模式.表面光电压谱的研究发现锥状TiO2纳米带具有良好的光电特性,在光催化、光电器件等领域具有潜在应用前景.

关键词: 锥状TiO2 , 纳米带 , 化学气相沉积 , 表面光电压 , 微区拉曼

反应气体流量对CVD钽性能影响研究

蔡宏中 , 易健宏 , 魏巧灵 , 陈力 , 魏燕 , 胡昌义

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.06.010

介绍了化学气相沉积(CVD)技术制备难熔金属钽涂层的原理及方法.利用TaCl5-H2-HCl反应体系,以冷壁式化学气相沉积法在钼基体表面沉积了钽涂层.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线物相分析仪(XRD)、显微硬度计等分析手段,研究了反应气体(氢气、氯气)的流量变化对钽涂层的沉积速率、结构、表面形貌、硬度及密度等的影响;应用Harris公式,计算了钽涂层的织构系数,获得了钽涂层的择优取向.研究结果表明:随着氢气流量的增加,涂层沉积速率加快,随着氯气流量的增加,涂层的沉积速率则是先增加后减小;涂层由体心立方结构的钽(α-Ta)构成,表面形貌呈类金字塔形结构,涂层(200)晶面方向为最快生长方向;反应气体流量变化对涂层硬度及密度的影响均不明显;涂层维氏硬度在HV 130.94 ~HV 152.43之间,涂层致密性好,相对密度都在99.65%以上.

关键词: 反应气体 , 化学气相沉积 , 钽涂层 , 性能

化学气相沉积金刚石膜的研究与应用进展

吕反修

材料热处理学报

化学气相沉积(CVD)金刚石膜具有极其优异的电学(电子学)、光学、热学、力学、声学和电化学性能的组合,因此在一系列高新技术领域有非常好的应用前景,并曾在20世纪80年代中期形成席卷全球的"金刚石热".30余年来, CVD金刚石膜研究取得了极其巨大的进展,但在产业化应用方面仍不尽人意.本文对此进行了比较详尽地综述和评论,希望更多的人了解,并推进其研究和产业化进展.

关键词: 金刚石膜 , 化学气相沉积 , 多功能材料 , 产业化

管状构件内表面真空镀膜方法研究进展

赵彦辉 , 贾莹 , 于宝海 , 肖金泉

表面技术

综述了国内外真空镀膜方法,包括化学气相沉积与物理气相沉积方法对管状构件内表面镀膜的研究进展,介绍了热化学气相沉积及各种等离子体(包括直流、射频及电子自旋共振等离子体)增强化学气相沉积方法在管状构件内表面镀膜方面的应用,分析了这种方法的优缺点;重点阐述了溅射镀膜方法(包括直流二极(或三极)溅射、磁控溅射及离子束(或激光束)溅射)及电弧离子镀技术在管状构件内表面镀膜时对薄膜种类、沉积速率、薄膜厚度轴向均匀性、膜/基结合力等方面的特点.最后对管状构件内表面各种真空镀膜方法进行了分析对比,指出了存在的问题及今后的发展方向.

关键词: 管状构件 , 内表面 , 物理气相沉积 , 化学气相沉积

SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究

郑文景 , 周万城 , 罗发 , 于新民

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.11.009

采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响.采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析.结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω~(-1)·cm~(-1)升到6.289Ω~(-1)·cm~(-1);SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150.实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关.认为这是SiC纤维表面沉积的C层使纤维电导率增大所致.直流电导损耗足其主要损耗机制.

关键词: 化学气相沉积(CVD) , SiC纤维 , C涂层 , 体电导率 , 拉曼光谱 , 介电性能

CVD技术制备Ta/W层状复合材料

祁小红 , 郑旭 , 蔡宏中 , 刘少鹏 , 胡昌义 , 魏燕

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.000019

运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析.结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600 ℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa.

关键词: 化学气相沉积(CVD) , Ta/W层状复合材料 , W体积分数 , 力学性能

CVD金刚石涂层硬质合金刀具研究进展

尹超 , 毛善文

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2016.04.011

CVD金刚石涂层硬质合金刀具结合了金刚石和硬质合金的优异性能,是切削加工的理想材料,具有广阔的发展前景.当前限制CVD金刚石涂层刀具应用的主要问题是金刚石涂层与刀具基体之间的附着性能较差,其主要原因是粘接相Co对CVD沉积存在不利影响以及涂层与基体之间热膨胀系数存在较大差异.本文综述了提高界面结合强度和降低涂层表面粗糙度的方法,重点介绍了在界面添加过渡层来提高界面结合强度,并指出在硬质合金基体和CVD涂层之间添加过渡层和开发纳米CVD涂层是CVD金刚石涂层刀具今后的发展方向.

关键词: 化学气相沉积(CVD) , 金刚石涂层 , 硬质合金 , 过渡层 , 表面粗糙度

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