阮建明
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隋妍萍
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李涛
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何炜瑜
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蔡宏琨
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张德贤
功能材料
GaSb的禁带宽度为0.72eV,是热光伏电池的理想材料。采用共蒸发的方法,在普通玻璃衬底上生长GaSb多晶薄膜。通过XRD谱、Hall及透射反射谱测试,研究了Ga、Sb源的蒸发温度、衬底温度以及薄膜厚度对薄膜的结构特性和光电特性的影响。研究表明,随衬底温度的升高、薄膜厚度的增加,晶粒尺寸逐渐增大;随衬底温度的升高、Ga源温度的降低以及厚度的增加,迁移率逐渐上升,迁移率最高可达172cm2/（V.s）;随衬底温度的降低、Ga源温度的提高以及厚度的增加,载流子浓度逐渐增加。
关键词:
GaSb多晶薄膜
,
共蒸发
,
Hall
,
XRD
孙震
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谢晗科
,
狄霞
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李卫
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冯良桓
,
张静全
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武莉莉
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黎兵
,
雷智
功能材料
采用真空共蒸发法制备了Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜,研究了Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性.XRD的结果表明,0＜x≤0.9,Cd_(1-x)Zn_xS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Vegard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜的电导激活能.
关键词:
Cd_(1-x)Zn_xS
,
多晶薄膜
,
共蒸发
,
光学能隙
,
电导激活能
孙顶
,
李玉丽
,
贾雪
,
姚小春
,
迟耀丹
,
张力
人工晶体学报
由于Cu元素的含量对Cu2ZnSnSe4(CZTSe)化合物的薄膜性质及电池性能都有影响,本文主要研究了不同铜蒸发温度对CZTSe薄膜性质及电池性能的影响.研究表明:当铜蒸发温度较低时(1400 ℃),CZTSe薄膜中含有SnSe相,同时薄膜呈N型;随着铜蒸发温度的提高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升.但当铜蒸发温度过高时(1500 ℃),薄膜中含有CuxSey相.二次相SnSe与CuxSey的存在都会使电池失效.最终通过优化铜的蒸发温度,在较合适的1450 ℃ 铜蒸发温度条件下制备出效率为2.63%(有效面积0.34 cm2)的CZTSe太阳电池.
关键词:
太阳电池
,
铜锌锡硒
,
共蒸发
,
铜
束青
,
武莉莉
,
冯良桓
,
王文武
,
曹五星
,
张静全
,
李卫
,
黎兵
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150148
采用CdTe和Te双源共蒸发的方法,调控CdTe和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99~1.46 eV之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明, x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相；随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿CdTe(111)方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明, CdxTe薄膜将有望用于CdTe薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
关键词:
CdxTe薄膜
,
双源共蒸发
,
CdTe太阳电池
