毕津顺
,
韩郑生
功能材料与器件学报
本文制备了纳米级的Hf/HfO2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构.系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程.详细研究了该阻变存储器SET电压与RESET电压,高阻态阻值与低阻态阻值间的关联性.该阻变存储器的电学参数与SET过程的电流限制值强相关,因此需要折中优化.利用量子点接触模型对Hf/HfO2基阻变存储器的开关物理机制进行了分析.
关键词:
二氧化铪
,
双极
,
阻变存储器
,
导电细丝
,
量子点接触模型
刘琦
,
刘森
,
龙世兵
,
吕杭炳
,
刘明
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.02.01
基于电荷存储的传统非易失存储技术越来越难以满足大数据时代对海量信息的存储需求,亟需发展基于新材料、新原理的非易失存储技术.基于阳离子电化学效应的阻变存储器具有结构简单、速度快、功耗低、可缩小性好、易于三维集成等优点,被认为是下一代非易失存储器的有力竞争者.然而,器件参数离散性大以及阻变机制不清晰严重阻碍了该类器件的快速发展.近几年,国内外学者通过材料和结构的优化设计显著提高了器件的性能,借助先进的表征技术阐明了器件电阻转变的微观机制,为阳离子基阻变存储器的大规模生产和应用奠定了科学基础.从材料改性、器件结构设计和微观机制表征三个方面综述了阳离子基阻变存储器的研究进展,并对其未来的研究方向和发展趋势进行了展望.
关键词:
非易失存储器
,
阻变存储器
,
固态电解液
,
电化学效应
,
导电细丝
