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磁控溅射法制备 V 掺杂Cu3N薄膜研究

黄赛佳 , 侯雨轩 , 侍宇雨 , 王志姣 , 杨柳青 , 杨建波 , 李兴鳌

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.011

利用磁控溅射法成功制备了 V 掺杂Cu3 N薄膜.XRD 显示随着 V 掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变.SEM 结果表明向Cu3 N薄膜中掺入 V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化.从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度 V 对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善.

关键词: Cu3N , V 掺杂 , 磁控溅射 , 反射率 , 电阻率

Effect of the Sputtering Parameters on the Structure and Properties of Cu3N Thin Film Materials

武汉理工大学学报-材料科学版(英文版) doi:10.1007/s11595-010-0123-y

关键词:

磁控溅射制备Al掺杂氮化铜薄膜研究

袁作彬 , 左安友 , 李兴鳌

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.033

利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性.XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子显微镜图像表明Al掺杂之后使得氮化铜晶粒形状变得不规则,晶界变得模糊,说明Al掺杂会抑制氮化铜晶体的生长;通过光学透射谱计算得到光学带隙,Al掺杂降低了氮化铜薄膜的光学带隙,并随着掺杂含量的增加而逐渐减小,实现了Al掺杂氮化铜薄膜光学带隙的连续可调,带隙减小源于Al外层电子的局域态进入氮化铜的带隙间,增加了中间态.同时四探针的测试也表明掺杂之后电阻率变小.

关键词: 氮化铜 , 薄膜 , Al掺杂 , 光学特性 , 电学特性