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原位生成纳米SiO2/环氧聚酯改性有机硅耐电晕无溶剂漆的性能研究

黄芬 , 张春琪 , 景录如 , 徐晓风 , 刘蓉 , 樊保婷

绝缘材料

采用原位生成的纳米SiO2/环氧聚酯改性有机硅树脂制备了TH1178-2耐电晕无溶剂绝缘漆,并与采用直接掺杂法制备的纳米SiO2改性有机硅耐电晕漆TH1178-1的耐电晕性能进行了比较分析。结果表明:原位生成纳米SiO2改性比纳米SiO2直接掺杂改性的粒子分散更加均匀,无明显颗粒团聚现象;TH1178-2耐电晕漆比TH1178-1的耐电晕时间增长幅度更明显,耐电晕性能更好,同时具有优良的电气性能和力学性能,适用于H级以上电机或电器的耐电晕绝缘结构浸渍处理。

关键词: 原位生成 , 耐电晕 , 纳米SiO2 , 有机硅 , 无溶剂漆

纳米锆-铝复合氧化物杂化聚酰亚胺耐电晕薄膜的研究

范勇 , 赵伟 , 杨瑞宵 , 陈昊 , 张树龙

绝缘材料

采用微乳化-热液法制备了一系列经自制偶联剂处理的纳米锆-铝复合氧化物分散液,采用原位聚合法制备了纳米锆-铝复合氧化物杂化聚酰亚胺复合薄膜,对纳米分散液及复合薄膜的掺杂层进行透射电镜测试,并对复合薄膜的高温耐电晕性能、电气强度、力学性能进行测试及分析。结果表明:分散液中纳米粒子的尺寸达到纳米级,纳米锆-铝复合氧化物杂化PI薄膜的耐电晕性能大幅提高;在固定无机物掺杂量为22%,Zr与Al的物质的量之比为1.2∶9时,PI薄膜的耐电晕寿命达到10.35 h,电气强度达到274.91 MV/m,拉伸强度为146.4 MPa,断裂伸长率为43.0%。

关键词: 聚酰亚胺 , 纳米杂化 , 耐电晕 , 电气强度 , 力学性能

亚胺化工艺对聚酰亚胺/纳米Al2O3三层复合薄膜耐电晕性能的影响

贺洪菊 , 刘立柱 , 翁凌

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.06.028

以均苯四甲酸二酐和4,4''-二氨基二苯醚作为原材料,N,N-二甲基乙酰胺作为溶剂,采用原位聚合法通过不同的亚胺化工艺分别制备了3组掺杂量为12%(质量分数)的PI/纳米Al2O3 三层复合薄膜.采用红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的第1层进行了表征,并计算了不同工艺下第1层复合薄膜的亚胺化率.采用扫描电子显微镜(SEM)对三层复合薄膜的断面结构进行了表征.同时,利用光激放电(photon-stimulated discharge, PSD)测试了复合薄膜的陷阱状态,并对纯膜及复合薄膜的电老化阀值和耐电晕时间进行了测试.结果表明,随着亚胺化温度与时间的增加,第1层复合薄膜的亚胺化程度随之增加,即亚胺化率增大;随着亚胺化率的增加,复合薄膜的层间结合程度逐渐变好,复合薄膜内部陷阱密度降低,电老化阀值增加,耐电晕时间增加.

关键词: 聚酰亚胺 , 亚胺化工艺 , PSD , 电老化阀值 , 耐电晕

变频电机用纳米改性耐电晕绝缘材料及系统的研究

周成 , 夏宇 , 汝国兴 , 徐雄鹰 , 温雪平

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.09.003

采用纳米改性技术制备耐电晕漆包线漆/线、耐电晕聚酯亚胺浸渍树脂并集成耐电晕绝缘系统,研究纳米颗粒的表面有机包覆处理以及耐电晕漆包线、耐电晕聚酯亚胺浸渍树脂、耐电晕绝缘系统的综合性能。结果表明:纳米颗粒表面经有机包覆处理后,易于分散,纳米分散液储存期能达1年以上。纳米改性漆包线的耐电晕寿命大幅提升,附着性好,综合性能优异。纳米改性的聚酯亚胺浸渍树脂黏度低,固化快,粘结力高,耐热等级达C级,耐电晕寿命较未改性前提升16倍以上。耐电晕绝缘系统的局部放电特性较常规绝缘系统明显改善,耐电晕寿命提升15倍以上。

关键词: 变频电机 , 耐电晕 , 纳米 , 绝缘系统

聚酰亚胺基BN微纳米复合材料的电气绝缘性能研究

刘松 , 田付强 , 王毅 , 李鹏

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.02.005

通过原位聚合法制备了不同BN掺杂含量的聚酰亚胺基微纳米复合材料,使用扫描电镜、偏光显微镜、电气强度测试仪、介损及介电常数测量系统、皮安表和耐电晕老化实验装置对不同掺杂含量的微纳米复合PI薄膜的结构和电性能及耐电晕老化性能进行了研究.结果表明:随着BN微纳米颗粒掺杂量的增加,复合PI薄膜的电气强度先增大后减小,当掺杂含量为1%时,交流电气强度达到最大值219.6 kV/mm.掺杂BN后,复合PI薄膜的介电常数和介质损耗都有所增加,在高温下的电导电流小于纯PI薄膜.随着BN掺杂量的增加,复合PI薄膜的耐电晕老化性能逐步提升,在掺杂含量为20%时,复合PI薄膜的耐电晕老化时间是纯PI薄膜的116.7倍.

关键词: 聚酰亚胺 , 微纳米BN , 电性能 , 耐电晕

三明治结构聚酰亚胺/SiO2纳米复合薄膜电学性能研究

王志强 , 殷景华 , 夏旭 , 姚磊 , 李佳龙

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.03.006

采用原位聚合法制备了三明治结构的SiO2纳米掺杂聚酰亚胺(PI)复合薄膜SiO2-PI/PI/SiO2-PI.利用透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征SiO2纳米颗粒的分散状态及三层复合薄膜的断面结构,研究三层结构复合薄膜的介电性能、电导率、耐电晕性能和电气强度等电学性能.结果表明:SiO2纳米颗粒可均匀地分散于聚酰亚胺基体中,三层复合薄膜具有清晰的界面分层;当SiO2纳米颗粒掺杂量为20%时,三层复合薄膜的耐电晕老化时间最长,分别为纯PI和单层PI/SiO2复合薄膜的26倍和2倍;当SiO2纳米颗粒掺杂量为15%时,三层复合薄膜的电气强度达到最大值(280.6 kV/mm).

关键词: 聚酰亚胺 , 纳米SiO2 , 三明治结构 , 耐电晕 , 介电性能

非对称重复方波电压对局部放电统计特性及耐电晕寿命的影响

赵莉华 , 徐洪英 , 赵政嘉 , 李想 , 王鹏

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.05.010

为研究非对称重复方波电压对变频电机匝间绝缘局部放电和耐电晕寿命的影响规律,在对称和非对称重复方波电压下对变频绝缘单点放电模型的局部放电及耐电晕寿命进行了对比测试.结果表明:在非对称重复方波电压上升沿和下降沿产生的局部放电呈非对称分布特性,上升沿附近的放电幅值较大,而下降沿放电幅值较小.非对称重复方波电压下匝间绝缘试样的平均耐电晕寿命约为对称重复方波电压下的2倍.因此,当采用重复方波电压评估变频电机绝缘性能时,不仅要注意上升时间的影响,还要考虑下降时间的作用.

关键词: 变频电机 , 局部放电 , 耐电晕 , 方波电压

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