杨根仓
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魏炳波
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周尧和
材料研究学报
以特制的无机盐玻璃70%Na_2SiO_3+17.7%Na_2B_4O_7+12.3%B_2O_3作为净化剂,去除液态Ni-32.5%Sn 共晶合金中的异质晶核,使过冷度达302K(0.215T_E)。采用高速摄影及快速红外测温技术研究了深过冷熔体的快速凝固行为。发现尽管过冷度超过了以往认为的均质形核临界过冷度0.2T_m,但是Ni-32.5%Sn 共晶合金仍然优先发生界面异质形核,再辉过程中瞬时凝固速度最大可达784mm/s。
关键词:
深过冷
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rapid solidification
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crystal nucleation and growth
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eutectic alloy
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high speed cinematography
王光伟
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郑宏兴
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马兴兵
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张建民
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曹继华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.001
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料.薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定.对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响.薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定.基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小.Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定.数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论.
关键词:
锗硅薄膜
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等离子体增强化学沉积
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热退火
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晶相成核与生长
