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Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究

曹文田 , 孙振翠 , 魏芹芹 , 薛成山 , 王强

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.021

利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成、结构、形貌和光学特性分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳.SEM显示在均匀的薄膜上出现6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光特性.

关键词: 热壁化学气相沉积 , 氮化镓 , 晶绳

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