张蓓
,
张鹏
,
王军
,
朱飞
,
曹兴忠
,
王宝义
,
刘昌龙
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.04.471
室温下将130 keV，5×1014 cm-2 B离子和55 keV，1×1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中，采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示，B和H离子顺次注入到单晶Si可有效减少(111)取向的H板层缺陷，并促进了(100)取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT观测结果显示，在顺次注入的样品中，B离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明，B离子本身及B离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。
关键词:
单晶Si
,
B和H离子注入
,
H板层缺陷
,
XTEM
,
SPAT
王卓
,
田光
,
石少波
硅酸盐通报
室温下将40 keV的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 keV O离子注入.采用光学显微镜和透射电子显微镜分析比较了注入及退火后单晶Si样品的表面损伤以及注入层微观缺陷的形貌.光学显微镜结果表明,只有高剂量H离子注入的单晶Si经过450℃退火后出现了表面发泡和剥离,而总剂量相同的H、O离子顺次注入单晶Si的样品没有出现任何表面损伤.透射电子显微镜结果表明,低剂量H离子注入单晶Si经过高温退火可以在样品内部形成一个由空腔构成的损伤带.附加O离子注入对损伤形貌产生了重要影响,空腔消失,损伤带由大量板状缺陷构成.
关键词:
H离子注入
,
空腔
,
单晶Si
