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王浩 , 谢生 , 冯志红 , 刘波 , 毛陆虹
功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.010
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的 In-AlN/GaN HEMT 器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的;而开...
关键词: 高电子迁移率晶体管 , 电流崩塌 , 偏置应力 , 铟铝氮 , 氮化镓